电子信息材料物理基础课件-3-逸出功与接触电势.pdfVIP

主要内容主要内容 • 能带理论复习 • 电子的费米分布 •金属电子的输运过程金属电子的输运过程 •逸出功逸出功 （（功函数功函数））与接触电势与接触电势 P286, §6-2 1 功函数(W) 一块金属为电中性的，电子脱离金属材料需要克服束缚能的作 用。一个电子逸出金属表面所需要的最小能量称为功函数。 功函数W 的定义：真空能级和费米能级之间能量差。真空能级 是指电子处在离开表面足够远的某一点的能量（足够远：作用 于电子的静电力忽略不计于电子的静电力忽略不计，1010nm以上以上））。 真空能级 WW E F χ W χ−EF 导带底导带底 χ为真空能级和导带底能级之差，对半导体和绝缘体为另一重 要要的量量，称为称为亲亲和势势。 光电效应设入射光子能量为ħω，爱因斯坦方程: hω W +T 2 晶体表面取向影响功函数取值：表面离子实产生的电场强 度依赖表面正离子实浓度。 3 热电子发射 热电子发射：加热金属表面大量电子克服表面势垒而逸出的 现象象。 真空能级 W EE F χ 导带底 金属导带电子可看做处于如图所示的势阱内。高温下，部 分电子可以分布在高于分电子可以分布在高于EEFF 的能级的能级。。 能量满足E-E W的电子才能逸出金属表面，形成热电子发 F 射电流射电流。 热电子发射是早期的真空二极管和三极管，以及后来的X 射 线管和电子显象管的工作基础线管和电子显象管的工作基础。。材料表征技术材料表征技术：：XRDXRD 、 SEM和TEM 。 4 热电子发射电流 我们仍采用自由电子近似导带电子： h22k 22 E (k ) 2m 则： v 1 ∇k E hk E (k ) 1 mv2 h m 2 单位体积内，k 空间体积为dk=dk dk dk 内量子态数目为： x y z 22 dk (2π)3 则根据速度速度v和k 之间的关系系：