a－c膜的制备系在∞700高真空沉积系统中利用离子束溅射沉积技术 .pdfVIP

第28卷第1期 北京工业大学学报 vd．2s№l 2002年3月 Jou蝴LoFB口INGPoLmc}Ⅱ咀cuNⅣERsrn №20【’2 类金刚石薄膜的离子注氮研究 陈祝平1， 王从曾2 (1．煤炭科学研究总院北京建井研究所，北京100013； 2．北京工业大学材料科学与工程学院，北京10帅22) 摘要：以25～35 kV的高能离子束将离子化的双原于分子N，注入非晶态碳骐，硬度可提高10GPa量级．分 析研究表明：离于注氮并没有改变碳膜的非晶态结构，但所有拉曼结构参数发生变化，且碳、氮结合能峰位发生 化学位移；显然注入的氯和碳形成化学键，并可能形成新相．结论：类金刚石薄膜离子注氮可音成氟化的类盘刚 石，改变化学结构．提高机械性能． 美量词：离子注^；类金刚石；离子柬氮化；氯化碳 中圈分类号：1G1744“ 文献标识码：A 文章鳙号：0254一0037(2002)O卜0113—04 类金刚石(dialTlondIikecarbon，简记为DLc)因具有许多优良的性能，如高硬度、低摩擦系数、高耐蚀 性和导热性，等等，而成为当前优先发展的新材料．近来，类金刚石在工业上的应用更为人们所重视．例 如，类金刚石的高硬度，已披用于开发新型刀具和模具；其具有高耐磨性、耐蚀性和低摩攘系数，被用于对 轴承、密封元件及许多其他机械零件的表面强化与防护．一二十年来，各国都在努力开发新技术以利用廉 价的碳原料来合成类金刚石，由此开发出许多新技术，例如离子束辅助沉积(IBAD)、等离子增强化学气相 沉积(PEo，D)、磁控溅射(Ms)，等等”‘31．然而实践表明．类金刚石对工艺具有极强的敏感性，不同工艺 得到的类金刚石性能往往差别很大，有些甚至从类金刚石变为。类石墨”或。类聚化物““．显然，类金剐石 台成工艺的研究是其能否获得成功应用的前提．其次，与钢铁类似，类金刚石为一组材料，有人称之为‘碳 基合金““．不同的掺杂，可使类金刚石性能在更宽广的范围变动，从而使之满足各种特定的工况．因此． 类金刚石中掺杂的作用已成为目前的一个研究热点． 类金刚石中最常见的掺杂元素是H．此外，N、si、B、cLTi等元素的掺杂也一直在研究中．氯化的类 金刚石恤∞genatedDLc)可使类金刚石的机械性能得到改善，例如降低内应力，增加耐磨性等”1．目前 在离子注入合成氮化的类金刚石方面的文献报道还不多，为对这方面进行更深入的研究，作者进行了_在非 晶态碳膜(∞orphdusca击0n，简记为a．c)中离子注人双原子分子N?，以台成氮化类金刚石(简记为a．c： N)的实验研究，并探讨了氮注入后对薄膜结构和性能的影响． 1 实验方法 1．I 非晶态碳膜的制备 a-c膜的制备系在∞700高真空沉积系统中利用离子束溅射沉积技术进行．该系统配备考夫曼 (Kaufman)离子源；属宽束源，束斑直径40nⅡIl，束能可在250～500ev调节”】．考夫曼源的工作原理，是在 以钽丝或钨丝构成的阴极与辅助阳极间通以高压后点燃气体，灯丝通以10A左右的电流加热，发射热电子 以维持辉光放电．放电腔周围设置环型磁场，使电子作螺旋运动以提高离化率．放电腔一侧设密布许多小 孔的网状栅极，其电位比灯丝阴极更负，从而将离子流从中拖曳出，经与栅极呈同心对称布置的加速极加速 后射出．源前端还设有中和器，一般由钽丝构成，以中和离子流，避免基片上的电荷累积效应． 收稿日期：200l-05枷． 作者俪舟：陈祝平(1952-)，男，研究凤，博士；王从曾(195卜)．男，教授 万方数据 ‘——■ji蘩嚣搿孔_一i 4 北京工业大学学报 20l】2年 抽真空系统由旋转泵和油扩散泵构成，高真空状态由潘宁表(Panninggauge)监控．设计了靶架与基 片架，使在本装置中，离子束蹦75。轰击固靶，并以掠射式方式对生长中的薄膜同时进行小角度轰击．其 基本设想是，将主束聚焦于靶上，以获得最佳溅射场(spu他rnel