GdFeCo／TbFeCo磁超分辨磁光记录薄膜研究＊.PDF

维普资讯 第 34卷第 9期 光 子 学 报 Vo1．34NO．9 2005年 9月 ACTA PHoToNICA SINICA September2005 GdFeCo／TbFeCo磁超分辨磁光记录薄膜研究* 张约品 夏海平 李佐宜 沈德芳。 干福熹。 (I宁波大学光 电子功能材料研究所 ，宁波 3I5211) (2华 中科技大学 电子科学与技术系 ，武汉 430074) (3中国科学院上海光学精密机械研究所 ，上海 201800) 摘 要 用磁控溅射法制备 了GdFeCo／TbFeCo交换耦合两层薄膜 ，利用不 同温度 的克尔磁滞回 线和 VSM 磁滞 回线研 究了读 出层 (GdFeCo)变温磁化方 向变化过程 ．结果表 明，随温度升 高读 出 层从平面磁化转变为垂直磁化，交换耦合两层薄膜具有 中心孔探测磁超分辨的基本性能 ．转变过 程主要受饱和磁化强度 (Ms)的影响，在 GdFeCo的补偿温度 附近 ，读 出层 的磁化强度较小，退磁场 能也较小，在交换耦合 的作 用下，使读 出层 (GdFeCo)的磁化 方 向发 生转 变 ．磁化 方 向的转 变在 75℃～ 125℃的温度 范围 内变化较 快 ． 关键词 磁光记录；磁超分辨；交换耦合两层薄膜 ；磁化 中图分类号 0484．4 3 文献标识码 A IJ 5I置 l 实验 信息科学的飞速发展使得人们追求更高的存储 GdFeCo／TbFeCo交换耦合两层薄膜用磁控射 密度和更小的存储 点，即超高密度信息存储[1--3]． 频溅射制备 ，制备 GdFeCo和 TbFeCo薄膜的靶材 磁光存储作为一种光存储和磁存储并存 的存储方 分别采用 Gd与FeCo 复合靶和Tb与 FeCo 复 式 ，既有光存储的大容量 ，又有磁存储 的可擦重写、 合靶 ．溅射的本底真空度 8×10 ‘。Torr．通过改变 自由插换和硬磁盘相接近的平均存取速度 的优点 ． 溅射功率和氩气压调节薄膜成分 ．A1N膜 由Al和 磁光数据存储作为一种重要 的数据存储手段向着大 N。反应溅射获得 ．用 X射线荧光光谱法分析 RE— 容量快速发展 [4]．为了提高存储密度，可以使用短 TM薄膜的成分．克尔磁滞 回线的测试波长为 650nil2， 波长激光二极管和大数值孔径的透镜 ．但 由于衍射 样品可 以加热 ．变温磁滞 回线用振动样 品磁强计 极限的限制 ，以此提高存储密度是有限的 ．中心孔 (VSM)测试 ．GdFeCo／TbFeCo交换耦合两层薄膜 探测磁超分辩读出技术 (CenterApertureDetection 的膜层结构 为Substrate／AlN80nm／GdFeCo50nm／ Magnetically Induced Superresolution， CAD- TbFeCo40nm／A1N80nm．读 出层 GdFeCo为富稀 MSR)[6]可 以在不改变现 有磁光驱动器读 出激光 土的 RE—TM 薄膜 ，成分为 Gd (Fe Co2)。，补偿 波长条件下通过交换耦合两层薄膜或静磁耦合薄膜 温度 150℃，居里温度 300℃；记 录层 TbFeCo为富 来实现小尺寸记录畴读出，增加存储密度 ，因此引起 过渡族的 RE—TM 薄膜 ，成分为 Tb2(Fe Co ) ， 人们 很 大 的 兴 趣 ．它 与 前 孔 径 探 测 (Front 补偿温度小于室温，居里温度 250℃． ApertureDetection，FAD)_8和后 孔径 探测 (Rear 2 结果和讨论