功率MOSEFT—TS75NF75 80A，75V N沟道.PDF

3-1 TS75NF75 产品资料 功率MOSEFT—TS75NF75 80A，75V N沟道 TS75NF75功率MOS场效应管采用先进的 平面带状DMOS工艺技术。这种先进工艺使器 件的导通电阻最小化，而且具有优良的击穿 特性。这种器件非常适合于高效开关电源和 电动车控制器等。 1、特征 · 超低 RDS(on),最大11毫欧； · 典型栅电荷80nC； · 增强的dv/dt能力； · 100%雪崩击穿测试； · 封装型式：TO-220 · 最大结温 125 ℃ 2、性能指标 极限值：（除其他标注外Tamb= 25℃） 参 数 符 号 数 值 单 位 最大漏源电压 VDSS 75 V 栅源电压 VGS 20 V 最大持续漏电流 ID 80 A 最大脉冲漏电流 (注1) IDM 300 A 峰值二极管恢复dv/dt (注2) dv/dt 7 V/ns 最大耗散功率 PD 120 W 工作结温/储存温度范围 T /T -40～125 ℃ J STG 地址（ADD）：无锡新区硕放香楠一路 9 号 电话（Tel）：0510 网址（Http）：Http:// 传真（Fax）：0510 3-2 TS75NF75 产品资料 热性能（除其他标注外Tamb = 25°C） 参数 符号 数值 单位 从结到每只管脚的典型热阻 RθJC 0.9 ℃/W 电性能（除其他标注外Tamb= 25°C）