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功率型LED 芯片的热超声倒装技术 - 中国光学光电子行业协会.PDF

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功率型LED 芯片的热超声倒装技术 - 中国光学光电子行业协会

封装、测试与设备 Package ,Test and Equipment 功率型L ED 芯片的热超声倒装技术 1 1 1 ,2 1 3 3 1 李艳玲 , 牛萍娟 , 郭维廉 , 刘宏伟 , 贾海强 , 陈弘 , 胡海蓉 ( 1 天津工业大学 信息与通信工程学院 , 天津 300160 ; 2 天津大学 电子信息工程学院 , 天津 300072 ; 3 中国科学院物理所 , 北京 100080) 摘要 : 结合功率型 GaN 基蓝光 LED 芯片的电极分布 , 在硅载体上电镀制作了金凸点 , 然后 通过热超声倒装焊接技术将LED 芯片焊接到载体硅片上。结果表明 , 在合适的热超声参数范围 内, 焊接后的功率型LED 光电特性和出光一致性较好 , 证明了热超声倒装焊接技术是一种可靠 有效的功率型光电子器件互连技术。 关键词 : 功率型发光二极管 ; 热超声 ; 倒装焊 ; 金凸点 中图分类号: TN365 ; TN40597   文献标识码 : A   文章编号 : 1003353X (2007) 0435404 Thermosonic Flip Chip Bongding for Power LED Chips LI Yanling1 , NIU Pingjuan 1 , GUO Weilian1 ,2 , LIU Hongwei1 , J IA Haiqiang3 , 3 1 CHEN Hong , HU Hairong ( 1. School of Information Communication Engineering , Tianjin Polytechnic University , Tianjin 300160 , China; 2. School of Electronic Information Engineering , Tianjin University , Tianjin 300072 , China; ) 3. Institute of Physics , Chinese Academy of Sciences , Beijing 100080, China Abstract : Based on the distribution of electrodes for power GaN blue LED chip , Au bumps on Si were fabricated by electroplating , and then the LED chips were welded to Si carrier by thermosonic FCB. The results indicate that the optic and electric characteristics as well as the light extraction uniformity of power LED after thermosonic FCB are fine as long as the heat and ultr

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