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化学气相沉积法在蓝宝石衬底上可控生长大面积高质量单层二硫化钨
第37卷摇 第8期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾37 No郾8
2016年8月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Aug. ,2016
文章编号:1000鄄7032(2016)08鄄0984鄄06
化学气相沉积法在蓝宝石衬底上
可控生长大面积高质量单层二硫化钨
*
巩摇 哲,何大伟 ,王永生,许海腾,董艳芳
(北京交通大学光电子技术研究所 发光与光信息技术教育部重点实验室,北京摇 100044)
摘要:在常压条件下使用 CVD法生长单层WS ,通过改变实验条件实现控制晶粒大小或生长成薄膜的目
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的。 采用光学显微镜、拉曼、光致发光谱等对制备的样品进行表征,得到了结晶质量高、尺寸达 120 滋m 的单
层WS 晶粒。 同时讨论了几个重要参数如温度、生长时间以及钨源用量等对生长单层WS 的影响。 结果表
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明:温度对CVD生长WS 影响最大,高温有助于生长高结晶质量的WS 。 调节生长时间可以控制WS 晶粒
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的大小,较长时间能生长出连续的薄膜。 过量的S蒸汽会抑制WS 生长,影响结晶质量。
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关摇 键摇 词:单层二硫化钨;化学气相沉积;拉曼光谱;光致发光谱
中图分类号:O484.4摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 DOI:10.3788/ fgx0984
Controllable Synthesis of High Quality Monolayer WS with Large
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Size on Sapphire Substrate by Chemical Vapor Deposition
*
GONGZhe,HE Da鄄wei ,WANG Yong鄄sheng,XU Hai鄄teng,DONG Yan鄄fang
(Institute of Optoelectronic Technology,Key Laboratory of Luminescence and Optical Information,
Beijing Jiaotong University,Ministry of Education,Beijing 100044,China)
*Corresponding Author,E鄄mail:dwhe@bjtu.edu.cn
Abstract
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