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数据表数据表
NPN硅硅RF晶体管晶体管
2SC3356
NPN外延硅晶体管外延硅晶体管RF
微波低噪声放大微波低噪声放大
3针针minimold
特征特征
•低噪声和高增益：NF为1.1 dB典型值,G a = 11 dB典型值.用V CE = 10 V, I C = 7毫安,F = 1千兆赫
•高功率增益：MAG = 13 dB典型值.用V CE = 10 V, I C = 20毫安,F = 1千兆赫
订购信息订购信息
零件号 数量 供给方式
2SC3356 50只（不卷） •8mm宽压花录音
2SC3356-T1B 3千件/卷 •引脚3 （集电极）面带穿孔方
备注备注 要订购评价样品,请联系您最近销售部门.
单位样品数量为50个.
绝对最大额定值（绝对最大额定值（T A = +25°C)
参数 符号 额定值 单元
集电极基极电压 V 20 V
集电极到发射极电压 V 12 V
发射器基极电压 V 3.0 V
集电极电流 I 100 mA
总功耗 P 200 mW
结温 T 150 °C
储存温度 T 65 to +150 °C
注意注意 自由空气
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