宽带偏振不灵敏In Ga As 半导体光放大器3 - Journal of Semiconductors.PDF

第 26 卷 　第 3 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 3 2005 年 3 月 　　 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S 　　Mar . ,2005 宽带偏振不灵敏 In GaAs 半导体光放大器 1 ,2 1 1 1 1 1 1 1 1 王书荣 　王 　圩 　刘志宏 　朱洪亮 　张瑞英 　丁 　颖 　赵玲娟 　周 　帆 　田慧良 ( 1 中国科学院半导体研究所 光电子研发中心 , 北京 　100083) (2 云南师范大学太阳能研究所 , 昆明　650092) 摘要 : 采用压应变 In GaA s 量子阱和张应变 In GaA s 准体材料交替混合的有源结构 ,研制了宽带偏振不灵敏的半导 体光放大器. 此放大器在 100～250mA 的工作电流范围内,获得了大于 70nm 的 3dB 光带宽 ;在 0～250mA 工作电 μ 流和 3dB 光带宽波长范围内, 偏振灵敏度小于 1dB . 对于 155 m 的信号光 , 在 200mA 的注入 电流下获得 了 156dB 的光纤到光纤的增益 、小于 07dB 的偏振灵敏度和 42dBm 的饱和输出功率. 关键词 : 压应变 In GaA s 量子阱; 张应变 In GaA s 准体材料 ; 半导体光放大器 ; 偏振灵敏度 ; 增益 ; 饱和输出功率 EEACC : 4320J ; 1220 ; 2530C 中图分类号 : TN722 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 较强的相互作用 ,增加了透明载流子的密度 ,导致器 1 　引言 件的其他性能降低 ; (4) 采用压应变的量子阱和张应 变的量子阱交替混合的有源结构[ 11 ,12 ] . 但迄今为 μ ( 止 ,对于 155 m 波段的 SOA 研究仅限于理论模 众所周知 ,半导体光放大器 semicon ductor op tical amp lifier ,SOA) 在全光网络光纤传输系统中有 拟[ 13 ] , 尚未见采用相同数 目的张 、压应变的量子阱 μ 着许 多重要应用 , 如对光信号直接进 行在线放 混合制作的 155 m 偏振不灵敏的 SOA 的实验报 大[ 1 ,2 ] ,用做光开关[3 ] 和波长变换器[4 ] 等. 但无论是 道. 再者 ,为了获得较大的 TM 模式增益实现偏振 不灵敏 ,需引进较大的张应变和较厚的张应变量子 ( ) ( 线性应用 在线放大 还是非线性应用 光开关或波 阱 ,但具有较大张应变和较厚的量子阱难于生长 ,不 ) 长变换器 ,高增益