对于固态硬盘ssd对比评测以及主控对比整理.docx

小评测市面上比较常见的SSD主控芯片有JMicron，INDILINX，Samsung和intel等多种主控intel和三星的整套主控方案应该说是相对领先的，INDILINX则是主控芯片中的新贵，配合64MB缓存方案性能也非常可观，而JMicron的主控则主要面向低端市场，以性价比取胜，在性能和稳定性方面有很大的不足。不带缓存方案 DRAM芯片的SSD产品性能就会急剧下降目前NAND FLASH主要提供商是三星和intel两家，大部分SSD产品采用了三星的NAND FLASH。intel自己的X18，X25系列则采用了intel的NAND FLASH。NAND FLASH也分为两种，SLC和MLC，其特性和实际性能差距也比较大32GB的SLC x25-e 价格甚至高于intel x25-m MLC的80GB。slc 读写10万次 mlc读写1万次，且读写速度不如slcintelintel X25-E威刚A-DATA-穿着马甲的intel关于intel X25-M主控：intel主控PC29AS21AA0缓存：三星16MB 颗粒：10×4GB 10通道 intel MLC NAND FLASH读写速度：250MB/s 70MB/s海盗船Corsair高端产品质量过硬CMFSSD-128GB1D 120GB主控：三星的S3C49RBX01缓存三星32MB颗粒：8×16GB 8通道三星MLC NAND FLASH读写速度分别为90MB/s和70MB/s在SSD里算是低的芝奇G.SKILLFALCON（芝奇高端）系列64GB SSD型号：FM25S2S-64GBF1缓存：64MB-超大主控：INDILINX主控缓存：日本ELPIDA 64MB颗粒：三星MLC 8颗×8GB读写速度：230/135TITAN系列-raid0128G SSD，型号FM-25S2S-128GBT1颗粒：MLC主控：两块JMF602加JM8390做内部RAID 0特点：虽然没有附带缓存，但raido读写性能远高于jmf602读写速度：200/160金速KingFast背景：来自深圳的一家专门生产固态硬盘的公司 32GB SSD颗粒：三星 SLC 16×2GB主控：INDILINX+ELPIDA读写速度：230/170金士顿Kingston型号：Now M 80G SSD——本质intel x25 系列颗粒：MLC整体类似威刚x25-mOCZAPEX(属OCZ中端品牌)–品质低不应考虑 120G SSD构造：三块JM芯片构成内部RAID 0读写速度：160/110Agility(属中高端)颗粒：镁光颗粒Vertex(属ocz高端品牌)缓存：ELPIDA 64M缓存颗粒：MLC—全部是三星颗粒主控：INDILINX主控读写速度：250/180治刚SUPER TALENT16GB主控：治刚STT-C-02B-GL缓存：无缓存从测试情况来看，采用intel X25-M系列的产品，采用INDILINX加缓存方案的产品和采取内部RAID 0方案的产品读取速度都能达到或者接近200MB/s，性能比较出色，且由于SSD不存在机械结构，不会出现传统硬盘那样外圈速度高，内圈速度低的现象，所以整体曲线比较平稳，平均值和最大值相差不是很大，而采取单芯片不加缓存的两款产品读取速度在160MB/s左右，略低于上述产品，海盗船的这款产品虽然采取三星主控加缓存的方案，但是设计速度比较低，稳定的达到90MB/s左右。写入方面：通道多了，写入速度会变慢，缓存大小对写入速度影响很大采用INDILINX主控加64MB缓存的几款产品在写入性能上明显优于其他产品，并且最重要的是，从最大写入速度和平均写入速度之间的差距我们可以得出这个写入曲线非常平滑的结论。而没有缓存的JMF602方案在最大写入速度和平均写入速度上远远不如INDILINX方案，并且最大写入速度和平均写入速度相差甚远，可见整个曲线经常出现大的起伏，传输很不稳定，这可能也是部分用户使用SSD作为系统盘会感到一卡一卡的原因所在了。而贴牌intel的两款产品，由于10通道的影响，在写入上的效率明显降低，所以也只能排在中游水准。☆HDTune 4KB 写入IOPS测试这个测试中表现出来的问题是十分惊人的，采用JMF602方案的三款产品，由于之前我们提到的主控性能和固件算法原因，在写入时效率极其低下，仅仅4 IOPS的效率根本无法胜任复杂的系统盘操作。而采用intel和INDILINX主控的几款产品显然是使用了相当成熟的技术，比读取更高的IOPS反映了主控能力，固件算法上明显的差距，可以说，在实际使用层面上，尤其是作为系统盘使用的情况下，不同产品在写入效率上差距十分惊人。☆长期稳定性维护功能TRIMSSD硬盘并不能始终拥有新品状态下的高性能。在大