溶胶凝胶法与电沉积法制备晶种层对氧化锌薄膜性质的-辅英科技大学.PDF

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溶胶凝胶法与电沉积法制备晶种层对氧化锌薄膜性质的-辅英科技大学

溶膠凝膠法與電沉積法製備晶種層對氧化鋅薄膜性質的影響 黃昇章 1 *何詠碩 2 楊文都 1 黃芳榮 1 1 2 國立高雄應用科技大學 化學工程與材料工程系 輔英科技大學 應用化學與材料科學系 本研究分別利用電沈積法與溶膠凝膠法製備氧化鋅晶種層,探討兩種不同製程對氧化鋅薄膜性質 的影響。首先,第一階段先分別以電沉積法即溶膠凝膠法於 ITO 上鍍上晶種層,第二階段再以 氧化鋅成長電壓將晶種成長氧化鋅奈米棒。試片分析部分,微結構主要以場發射掃描式電子顯微 鏡 (Field Emission Electron Microscope, FE-SEM)觀察,以低掠角 X-ray 繞射(Small Angle X-ray Diffraction, SA-XRD) 做晶體結構分析,光學特性主要以紫外光可見光光譜儀 (UV-Vis Spectrometers)測量其紫外光、可見光吸收度及穿透率,並利用螢光光譜儀 (Fluorescence Spectrometers)量測螢光性質。研究結果發現,溶膠凝膠法比電沉積製備的晶種層,所成長的氧化 鋅薄膜,有較強的(0002)優選方向,並且穿透率較高,從微結構來看,所得奈米棒直徑較小,方 向性較高。 關鍵字:優選方向、穿透率、溶膠凝膠法 (Sol-Gel) 、電沉積(electrodeposition) 、PL(photoluminescence) 1. 前言 晶種層在電沉積製程中扮演了重要的角色。由於電沉積 近年來,氧化鋅被廣泛應用於太陽能電池、透明薄膜電 法是利用氧化鋅的晶體特性,使其自組裝(Self-assembly)形成 晶體、可彎曲顯示器、紫外光偵測器、氣體檢測器、 LED 、 氧化鋅奈米棒,因此晶種的性質強烈影響到氧化鋅奈米棒的 壓電元件、自旋元件等 [1-5] ,而氧化鋅藉由改變製程方式及 性質,在本研究中主要比較二段式電沉積法與 Sol-Gel晶種 參數就能變化其成長形貌,為低維度材料基本現象與性質提 層對電沉積法製備薄膜性質的影響,並進一步探討晶種層與 供了相當大的助益,對於高效能奈米元件也有極佳的發展潛 ZNA 之間的關係。 力[6] 。製備氧化鋅薄膜的製程相當多,其中電沉積 2. 實驗方法 (electrodeposition, ELD) ,具備製程速度快、低成本、高效率 本研究二段式電沉積法以三極式電解槽作為實驗裝 且低溫。1999 年時,Izaki 等人[7]為了提昇薄膜透光性,因 置,以白金片當對應電極 (counter electrode ,CE) 、銀氯化銀/ 此提出了二段式電沉積製程來改善薄膜穿透率。二段式電沉 電極 (Ag/AgCl electrode)當參考電極 (reference electrode , 積法為 ELD的其中一種,係利用較大的電壓先製備 ZnO晶 RE) 、ITO作為工作電極 (work electrode ,WE) ,電解液鋅離 種層,再以較低的電壓,使晶種成長成 ZnO 奈米棒,此方 子來源為 Zn(CH COO) ‧2H O ,以H O 為 OH-離子來源, 3 2 2 2 2 法製程速度快,且獲得薄膜穿透率較高。 並且用 KCl當輔助電解液,以提高電解液導電性。 另外,溶膠凝膠法 (Sol-Gel)是一種低溫下合成陶瓷材料 將ITO導電玻璃先以丙酮,用超音波震盪 10 分鐘,再以 前軀物的一門技術,不但廣泛運用於奈米粉體

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