第三章实验方法.PDF

第 三 章 實 驗 方 法 樣品製作 零場下之 R-T 量測 模擬質子植入 質子植入 植入後之 R-T 量測 恆溫下之低場 MR 量測 恆溫下之低場 V 量測 H 資料之分析處理與 理論模型之比對 23 3-1 樣品製作 本實驗所製作樣品為 La Sr MnO 、 La Ca MnO 薄膜 ，以雷 0.67 0.33 3 0.67 0.33 3 射濺鍍系統(Laser Ablation) ，於SrTiO (100)基板上成長薄膜;在適當的成 3 長條件下 ，可以得到品質優良的薄膜(如圖 3-1a ) 。將此0.5cm×0.5cm 之 薄膜以黃光微影技術和離子乾式蝕刻(ion milling)方法 ，蝕刻為長1.3mm 寬 50 μm 的微橋(如圖 3-1b ) ，以便進行電阻對溫度(R-T) 、磁阻(MR)及霍 耳電壓(V )的量測 。在微影過程所使用的光罩為國家毫微米實驗室所製 H 作 ，材質為玻璃或石英。 50 μm 1.3mm 10μm 圖 3-1a(左) 以 sputter 成長之平整的 La Ca MnO 薄膜影像 。 0.67 0.33 3 圖 3-1b(右) 以黃光製程 pattern 之微橋影像圖 。可以看出薄膜邊緣極為平整。 24 一 、微橋之製作過程如下： (1) 將薄膜樣品置丙酮中以超音波振盪器振 5 分鐘 ，取出後在丙酮未時以 異丙醇沖洗 ，且在異丙醇未乾時，用氮氣槍快速吹乾薄膜表面。 (2) 將樣品吸附於 spinner 上 ，以滴管吸取正光阻劑AZ 1500(光阻劑平時 存放冰箱中 ，使用前取出置於室溫中，使其溫度與室溫達平衡) ，滴一 滴於薄膜中心點 ，以7000 rpm 的轉速旋 40 秒 ，使光阻劑均勻覆蓋於 薄膜表面 。將已鋪光阻劑之樣品在90℃的烤箱中烘烤 30 分鐘 ，使光 阻劑與薄膜表面充分黏合 。 (3) 光罩以棉花棒沾少許丙酮擦拭乾淨 ，再以丙酮洗淨、去離子水沖洗後 用氮氣槍快速吹乾 。 (4) 進行曝光之前 ，確定pattern 位置後 ，以400nm 紫外光曝光 20 秒 ，再 放入 90℃的烤箱中烘烤 2 分鐘 。 (5) 取出樣品 ，利用25﹪(去離子水 ：顯影液 = 4 ：1)的顯影液 AZ 400K ， 分段顯影 ，視薄膜上光阻的潔淨度而調整顯影時間長短，一般而言約 需 20 秒 。每段顯影後將樣品以去離子水沖洗30 秒以上 ，避免多餘的 顯影液殘留在薄膜表面 。顯影完畢後 ，再將樣品放入90℃的烤箱中烘 烤 2 分鐘 。 (6)以離子蝕刻法乾式蝕刻 ，在適當條件下將曝光部分之薄膜蝕刻乾淨， 最後再用丙酮將未曝光部分之光阻劑全部清除 。 25 二 、電極及引線之製作： 將欲鍍電極處以外的其它部份薄膜以鋁箔遮住 ，再以蒸鍍極蒸鍍銀電 極 ，銀電極厚度約為400nm ，為使銀電極與