第三篇 PIC单片机的存储器.pptVIP

Bit2（WREN）：E2PROM写操作允许 位，主动参数。 ◆设置WREN＝1，允许写E2PROM； ◆设置WREN＝0，禁止写E2PROM。 Bit3 （WRERR）：E2PROM写过程错 误标志位，被动参数。 ◆当WRERR=1时，一次写操作没有执 行完毕，被手动复位或WDT复位； ◆当WRERR=0时，一次写操作完成， 没有发生错误。 Bit7（EEPGD）：Flash程序存储器 /E2PROM数据存储器选择位。 ◆当EEPGD＝1时，访问Flash程序存储器； ◆当EEPGD＝0时，访问E2PROM数据存储器。 ⑷ EECON2： E2PROM数据存储器读/写控制寄存器2。 ◆EECON2寄存器是一个虚拟寄存器，它专用于防止在存储器写序列中的非法写操作。向E2PROM数据存储器写数据必须插入一串特殊的指令序列，连续将特定的通用参数55H和0AAH写入EECON2。 地址：体3的18DH E2PROM数据存储器的读和写操作 1、读操作 ◆读E2PROM数据存储器只需将希望访问的地址写入到EEADR寄存器中，EECON1的Bit7（EEPGD）选择位清零。 ◆在RD位置1后，在下一个指令周期数据就放到EEDATA寄存器。 ◆EEDATA寄存器将保持这个值到下一个“读”操作初始化或到被软件写。 读E2PROM数据存储器具体可以分为如下 几个步骤： ①清EERGD选择位，表示访问E2PROM 数据存储器； ②置位RD，启动读操作； ③从EEDATA寄存器读取数据。 ★注意：RD位不能用软件清0，在读操作完成之后硬件自动清0。 2、写操作 ◆首先清EEPGD位，然后使WREN置位，当WREN置位后，置位WR，用于初始化写操作，即启动向E2PROM数据存储器写入数据操作。 ★注意： WREN和WR不能在同一操作中置位（不能同时置位），必须WREN在前，WR在后。 ◆在写操作进行过程中对WREN清0不影响写的过程。 ◆WR位不能用软件清0，但在写操作完成之后硬件自动清0。 ◆在某些误操作情况下，单片机不能把数据正确写入E2PROM数据存储器中。为了防止误操作，PIC16F877单片机建立了各种保护机制。 写E2PROM数据存储器的步骤如下： ①如果第10步没有执行，首先检查WR标志位，看写操作是否正在进行； ②在确保地址不超过PIC16F877芯片E2PROM存储器地址范围的情况下，将地址写入EEADR； ③写8位数据到EEDATA； ④清EEPGD选择位，表示对E2PROM数据存储器操作。 ⑤置位WREN，允许写操作； ⑥关中断； ⑦执行如下特殊指令： ◆用两步将55H写到EECON2 （先写到W，再写到EECON2）； ◆用两步将AAH写到EECON2 （先写到W，再写到EECON2）； ◆置位WR。 ⑧开中断； ⑨清0写操作允许位WREN。 ⑩完成写操作，标志位WR清0，中断标志位EEIF置位（由软件复位）。 如果第1步没有执行，检查EEIF是否置位、WR是否复位，以确保写周期结束。 * 直接寻址/间接寻址方式示意图 2、间接寻址寄存器FSR、INDF ◆FSR、INDF用于间接寻址，但需注意，INDF为非物理存在的寄存器。 ◆对INDF的操作实际上是以FSR的内容作为要操作的RAM单元的低8位地址。 PIC16F877单片机间接寻址 movlw 0x20 movwf FSR LOOP clrf INDF incf FSR,F btfss FSR,7 goto LOOP next instruction 0000 0000 0000 0000 FSR = 20h INDF 00h 04h 20h 7Fh 数据存储器 例：清除从0x20到0x7F所有RAM单元的内容 ◆程序指针计数器PC宽13位，其内容总是CPU要执行的下一条指令所在的程序存储器的地址，所以执行一条指令后PC自动加1。 ◆通常可以将PC指针分成PCL和PCH两部分： 3、与PC指针相关的寄存器PCL和PCLATH ◆PCL PC的低8位 有专用地址：02H、82H、102H、182H ◆PCH PC的高5位 PCH不在RAM中，是根本不存在的，用户不可访问，只能通过PCLATH进行间接加载。 ◆寄存器PCLATH在RAM中是真实存在的，地址：0AH、8AH、10AH、18AH。因此，可以认为寄存器PCLATH是程序计数器PC的高位地址（5位），而且是通过特殊的方式装载到PCH中。 ◆PCLATH对于高5位PCH的装载分2种情况： ◆一种情况是当执行以PCL为目标的写操作指令时，PC的低8位来自算术逻辑单元ALU，PC的高5位来自PCLATH的低5位； ◆另一种情况是当执行跳转指令GOTO或调用子