4H-SiC功率MOSFETs栅介质.pptVIP

* * * 课题进展报告 课题进展报告 课题进展报告 课题进展报告 课题进展报告 4H-SiC 功率MOSFETs栅介质材料研究 * 主 要 内 容 * * 引言 介质材料及其性质 物理模型与计算方法 介质材料对4H-SiC MOS电容电学特性的影响机理 介质材料对4H-SiC MOSFET电学特性的影响 总结 引言 * * SiC 功率MOSFET具有功率密度大，能有效降低功率损耗，减小系统成本，在逆变、输电、大功率、高温领域具有广阔的应用前景； 在SiC上利用普通热氧化方法制备SiO2的工艺引入很高的界面态密度，易引起表面粗糙散射与界面陷阱效应，导致器件可靠性降低： SiC介电常数约为SiO2 的2.5倍，SiC体内发生雪崩击穿时，易导致SiO2提前击穿； SiO2 /SiC结构界面特性差，界面态密度高，导致SiC MOSFET沟道迁移率下降与阈值电压漂移； 实验表明通过改进氧化工艺如氮钝化可以改善界面特性，在NO/NO2中退火能提高迁移率至50cm2/Vs，但近导带底界面态密度增加，引起沟道迁移率降低；在POCl3中氧化退火能提高迁移率至89cm2/Vs，但由于P掺杂，氧化层陷阱电荷密度增加，阈值电压漂移现象明显； 各种高k介质材料用于替代SiO2以改善界面特性，如：Al2O3，HfO2，AlN，La2O3，Y2O3，Ta2O5，其中Al2O3和HfO2与4H-SiC由于较好的热稳定性和很高的k值，近年来研究的较多，但由于这两种材料禁带宽度小，与4H-SiC导带底能量差较小，引起栅漏电流密度增加； 主要的介质材料及其性质 * * 物理模型与计算方法 * * 模拟中使用的器件结构（a）与掺杂分布（b） 物理模型：禁带窄化模型，俄歇复合模型，SRH复合模型，依赖于温度和掺杂浓度的迁移率模型，碰撞电离模型，依赖于温度和掺杂的载流子寿命模型 载流子统计模型：费米狄拉克 * * 不同频率下MOS电容的C-V特性：(a) sample A: HfO2 (3.7 nm)/SiO2 (7.5 nm)/SiC, (b) sample B: HfO2 (3.2 nm)/SiO2 (15.5 nm)/SiC, (c) sample C: HfO2/SiC, and (d) sample D: Al/HfO2/ SiO2/Si. 介质材料对MOS电容电学特性的影响机理 * * 俄歇电子能谱测试结果：(a) sample A and (b) sample B. C.-M.Hasu和J.-G.Hwu实验已经证明，在高k介质层和SiC之间插入SiO2缓冲层作为势垒层，能有效阻碍电子从半导体发射到介质层。 sample B XPS测试结果(a) Si2p, (b) C 1s , (c) 元素组分比. 介质材料对MOS电容电学特性的影响机理 MOS结构的SEM图 * * 漏源偏压不变时，随着栅极电压从负压增加到正压，MOSFET从积累到耗尽再到反型，栅极电流密度随着介质常数增加而减小。但随着栅极电压增加，电场增加，且由于高k材料与4H-SiC较小的能带差（conduction band offset），栅极电流密度增加。 介质材料对MOSFET电学特性的影响—栅极电流密度 漏源电压为10V * * 300K时，不同厚度的SiO2和Al2O3介质层对栅电流密度的影响：栅电流密度随着介质层厚度增加而减小，对相同厚度的栅介质层， Al2O3有更小的栅极电流密度，Al2O3与4H-SiC材料的导带差较小，但能有效抑制界面载流子注入。 介质材料对MOSFET电学特性的影响—栅极电流密度 * * 阈值电压受介质层材料、类型、厚度、外延层掺杂浓度、界面固定电荷浓度、器件结构参数（沟道长度、沟道宽度）等影响；对给定的栅介质材料，阈值电压随着介质层厚度增加而线性增加，但使用高-k材料时，阈值电压的变化受到抑制。 对相同厚度的栅介质材料，阈值电压随着介电常数增加而减小，从SiO2到HfO2，阈值电压漂移近2.5V，同时引起跨导增加。沟道表面电势分布依赖于栅介质介电常数，对4H-SiC，随着栅介质介电常数增加，从源极到沟道区和漏极的电场线增加，电势降低，因此阈值电压降低。 介质材料对MOSFET电学特性的影响—阈值电压 * * 对每一种介质，在介质层和4H-SiC界面存在的电荷和能量态，如SiO2/4H-SiC界面处存在的碳簇，Si、C悬挂键，引起了沟道区电子散射，降低了沟道区电子迁移率，导致F-N隧穿；同时，SiC/介质层界面处的快态以及固定电荷也会引起阈值电压漂移。 介质材料对MOSFET电学特性的影响—阈值电压 * * 对相同厚度的