4半导体探测器_08探究.ppt

* The fourth layer is silicon strip detector at a distance of 23cm from beam axis, covering ????1.2, position resolution of r/? is 15 ?m , along strip direction is 750 ?m. * * 中国科大 汪晓莲 * 三、像素探测器（Pixel Detector） P ixel是由许多精心设计非常小的PN 结组成的, 它能够非常快地提供 两维信息。每一个小室(cell) 都连接它自己的读出电子学。像素探测器具 有非常好的位置分辨率, 在每单位面积上需要大量的电子学路数。像素探 测器的像素有的采用简单的PN 结型二极管和光电二极管, 有的采用PIN光 敏二极管和耗尽型场效应晶体管, 还有的采用小型硅漂移室单元和CMOS 器件单元等, 它们各自有不同的优缺点, 各有不同的用途。 * 中国科大 汪晓莲 * Pixel Detector 探测器每个像素和电子学集成在相同的基片上叫单一型像素探测器。 把像素探测器及前端 电子建立在不同的基 片上，然后对应的连 接起来叫混合像素探 测器。 每个像素和它对应的读出电子学的连接有两种方法: 一种是用倒装片技术。 另外一种是使用双层金属, 即每个像素和对应的电子学,通过在探测器边缘 的焊片连接。 * 中国科大 汪晓莲 * 四、电荷耦合器件探测器CCD CCD 已经使用几十年了, 过去多用在光测量和摄像机上, 即使在高能物理中的应用, 也是作为火花室和流光室的径迹图像记录。 近些年科学家们已直接把它用作高能物理探测器, 如SLD VXD3 探测器, 采用96CCD’S ×3.2 ×108 = 3.07 ×108 个像素(20?m×20?m) 每个CCD 读出通过4 个输出结, 8 位FADC, 全部读出时间是200ms。 日本KEK 计划用它来作为未来实验的顶点探测器, 位置分辨率设计为2?m 。 CCD 作为粒子探测器, 探测的不再是光, 而是带电粒子, 所以它的结构也有些变化。当带电粒子射入探测器时, 产生电子空穴对, 电荷传输在CCD 很薄的耗尽区内进行。 CCD的结构是在一块硅片上集成很多的MOS(金属－氧化物－半导体)器件，如在Si上生成一层SiO2绝缘层，上面再沉积一层金属Pb，每个MOS器件类似一个小半导体探测器。 现代的CCD有线型的, 还有面型的; 从原理结构上分有pn-CCD, 也有CMOS型的。 * 中国科大 汪晓莲 * PN结CCD结构图 MOS CCD的结构图 双相CCD的结构 * 中国科大 汪晓莲 * CCD的工作原理 CCD的单元很小，只有几个?m2, 间距3－5?m，相邻 单元加不同电压时会使它们收集的电荷相互转移，加 一组三重周期性变化的驱动脉冲电压，使电荷定向移 向边缘的信号输出电极。因为信号输出电极及读出电 子学路数都少，因此这种探测器的信号读出比较慢。 CCD的灵敏度较低，只有达到103电子/单元的电荷才 能被记录，故常要与多级微通道倍增器组合使用。 * 中国科大 汪晓莲 * §4-5 半导体探测器的应用 一、优点： 能量线性好。 能量分辨高。 如对5.3MeV?粒子，能量分辨?E=10.8KeV(0.2%)，超过电离室； 对1.33MeV?射线，能量分辨?E=1.3KeV(0.13%)超过NaI(Tl)； 对5.9KeVx射线，能量分辨?E=150eV(1.4%)，超过正比计数器。 时间响应快，时间分辨好。脉冲上升时间短，ns量级，可用于时间和快符合测量。 窗薄，死层小。可用于测量重带电粒子、核裂片和低能电子及X射线。 灵敏区厚度可调。 结构简单、体积小，重量轻。易制成各种形状，满足多种要求。 对磁场(B10KG)不灵敏。宜于磁谱仪和加速器中使用。 * 中国科大 汪晓莲 * 二、缺点： 灵敏体积不够大。包括面积和灵敏区厚度，测量高能粒子有困难。 输出信号幅度小。常需要在低温下工作，要求较高的电子学线路和低温装置。 对温度敏感。 抗辐照性能差。 * 中国科大 汪晓莲 * 三、使用技术 根据被测粒子的种类、能量、使用条件和所要解决的问题，选择半导体探测器的类型、面积和灵敏区的厚度。 选择合适的工作电压。一般说工作电压高了，漏电流大，高频噪声大，且电压过高易造成探测器击穿，但脉冲上升时间快，能量分辨好。工作电压太低，结电容大，低频噪声大。应选取合适的工作电压。注意电压极性不能接错，半导体探测器工作在反向偏置状态。 低温干燥保存和使用。如面垒型存放在干燥皿中，锂漂移型要低温下加一定反向偏压保存，Ge(