半导体三极管的损坏.PDFVIP

半导体三极管的损坏 半导体三极管的损坏 [摘 要] 三极管的损坏, 主要是指其 PN 结的损坏。按照三极管工作状 态的不同, 造成三极管损坏的具体情况是: 工作于正向偏置的 PN 结, 一般为过流损坏, 不会发生击穿; 而工作于反向偏置的 PN 结, 当反偏 电压过高时, 将会使 PN 结因过压而击穿。 [关键词] 三极管; 击穿; 偏置 NPN 型三极管 C IC B IB IE E 半导体三极管在工作时，电压过高、电流过大都会令其损坏。在 课堂上我们了解到，其实三极管被击穿还不至于到损坏，但其击穿后功 率过大、温度过高会令三极管烧坏。 下面，我们将对每一种可能的情况进行探讨、浅析。 从半导体三极管的内部结构来看, 它相当于两 个背靠背的 PN 结(即发射结和集电结) 。这两个PN 结, 对于 PN P 型三极管来讲, 相当于两只负极在一 起的二极管, 如图 1 所示; 对于 N PN 型三极管来 讲, 相当于两只正极在一起的二极管, 如图 2 所示。 SJTU F0302009 5030209265 严钰霖 半导体三极管的损坏 图 1 PN P 型三相管 图2 N PN 型三相管 而其实三极管的损坏，一般是由于二极管的 PN 结损坏构成的。在 不同的工作状态下, 发生损坏的情况与这两个 PN 结的偏置情况有关。 总的来讲, 工作于正向偏置的 PN 结, 当通过的电流过大时, 将会使它 的功率损耗过大而烧坏, 但由于正向偏置的 PN 结两端电压很低(锗 PN 结约为 0. 2V 左右, 硅 PN 结约为 0. 7V 左右) , 故此时不会使 PN 结发 生击穿; 而工作于反向偏置的 PN 结, 当反偏电压过高时, 将会使 PN 结击穿, 如击穿后又未限制流过它的反向击穿电流, 将会使击穿成为永 久性的、不可逆的击穿, 从而造成其彻底损坏。 在这里，我们先介绍一下三极管的各种参数: 主要了解三极管的 3 个极限参数：Icm、BVceo 、Pcm 即可满足 95% 以上的使用需要。 1. Icm 是集电极最大允许电流。三极管工作时当它的集电极电流超过一 定数值时，它的电流放大系数 β将下降。为此规定三极管的电流放大系 数 β变化不超过允许值时的