环境友好半导体Mg Si 薄膜的研究进展 - 中国光学.PDF

第 3 卷 第 5 期 中国光学与应用光学 Vol. 3 No. 5 2010 年 10 月 Chinese Journal of Optics and Applied Optics Oct. 20 10 文章编号 1674-2915( 2010) 05-0446-06 环 境 友 好 半 导 体 Mg2 Si 薄 膜 的研 究 进 展 赵珂杰, 谢 泉, 肖清泉, 余志强 ( 贵州大学 理学院, 新型光电子材料与技术研究所, 贵州 贵阳 550025) 摘要: 介绍了近年来 Mg Si 薄膜 的研究进展 。从 Mg Si 材料的晶体结构出发, 重点对 Mg Si 薄膜 的基本性质、制备方法和 2 2 2 应用前景进行了论述 。研究表 明, Mg Si 是一种窄带隙间接半导体材料, 在光 电和热 电领域都具有较好的应用价值, 因其 2 兼具了组成元素地层含量丰富、无毒、无污染等优点, 被视为是一种新 型的环 境友好 半导体材料 。在 Mg Si 薄膜 的外延 2 生长技术方面, 目前 比较成熟的方法有分子束外延、脉冲激光沉积、反应扩散等多种, 但普遍存在 制备条件较苛刻, 成膜 质量不高等缺点。最后, 对 目前存在 的问题及未来的研究动 向做 了简要讨论 。 关 键 词: Mg Si; 半导体薄膜; 材料制备 2 中图分类号: TN304. 2; TN304. 055 文献标识码: A Study on semiconductor Mg Si thin films 2 ZHAO Ke-j ie, XIE Quan, XIAO Qing-quan, YU Zhi-qiang ( Institute of Advanced Optoelectronic Materials and Technology, College of Science, Guizhou University, Guiyang 550025, China) Abstract: Recent developments of Mg Si films are reviewed. On the basis of the crystal structure of Mg Si, 2 2 the basic properties, preparation methods, and application prospects of the films are presented. The researches show that Mg Si is a kind of semiconductor with narrow-band-gap, which has good applications in photovoltai