第11 讲MOS 电容器-大纲.PDF

6.012­电子器件与电路 第11讲 MOS电容器-大纲 ·通告： 下发资料­讲稿大纲和摘要 下周三复习课将进行测验 ·定性描述：-热平衡状态下的金属氧化物半导体 结构定义：金属/二氧化硅/p型（例子：n-MOS） 金属和硅有关的静电势：m 零偏的情况：如果：m  ，硅表面耗尽 p­Si 反向偏置：从耗尽到平带到积累 正向偏置：耗尽到临界到反型层 ·定量模型：热平衡状态下的金属氧化物 耗尽近似法应用于S电容器 平带电压：VFB 积累层电荷密度：qA* 最大耗尽宽度XDT 开启电压：VT 反型层电荷密度：qN* ·偏置金属氧化物半导体在临近区域的应用 耗尽层的宽度 开启电压的影响 n 通道的MOS管 在一个n通道场效应管中，我们在剩余电子区域（就是源极和漏极），在P区域产生一对势垒电子，然而，在这个装置中，门极电压V 调节电势垒高度， GS 这个装置的核心是金属氧化物电容器，也就是今天我们研究的对象。我们将利用同p-n结一起引入的耗尽近似法来研究MOS电容器， N场效应管 右边：基本器件，V = 0 BC 下图：耗尽近似法分析的一维结构 静电势和净电荷分布 静电势和净电荷分布 静电势和净电荷分布 静电势和净电荷分布 静电势和净电荷分布 静电势和净电荷分布 静电势和净电荷分布 静电势和净电荷分布 静电势和净电荷分布 基底加偏置的n MOS 电容器 基底反向偏置：V 0 BC 6.012微电子器件与电路 第11讲 场效应电容器-总结 ●定性描述： 三种表面状态：积累，耗尽，反型层 二个关键电压：平带电压：V ，开启电压：V FB T 过程：积累到平带到耗尽 ●定量模型： 对MOS电容器应用耗尽近似法：V =0 BC 定义：VFB vGB 有 (0) = p­Si VT vGB 有 (0) = – p­Si Cox*ox/tox ●结论和描述： 1平带电压：VFB =p­Si – m 2累积层电荷密度：qA* =– Cox*(vGB – VFB) 3最大耗尽层宽度：XDT =[2Si|2p­Si|/qNA]1/2 4 开启电压：VT = VFB – 2p­Si+ [2SiqNA|2p­Si|]1/2/Cox* 5 反型层电荷密度：qN* =– Cox*(vGB – VT) ●偏置MOS 于临近的区域： 最大耗尽层宽度：XDT =[2Si(|2p­Si| – vBC)/qNA]1/2 开启电压： VT = VFB – 2p­Si+ [2SiqNA(|2p­Si| – vBC)]1/2/Cox*