电子线路基础(1.5-1.6).ppt

VMOS场效应管的特点： 1.vGS控制沟道的厚度，沟道调制效应极小，恒流特性好。 2.当vGS较大时，转移特性呈线性。（动态范围大） 3.漏极面积大，利于散热，用于大功率。 4.漏源间的击穿电压高。 5.栅漏间的电容小，可用于高频。 1.5.2结型场效应管（JFET） 分为：N沟道、P沟道 N沟道 P沟道 1.5.2.2N沟道结型场效应管的工作原理 1.vGS对沟道的控制作用 当vGS=0时（vDS=0)，沟道存在. 当vGS 0（vDS=0)，时沟道变窄. 当vGS=VGS(off)时（vDS=0)，沟道夹断. VGS(off)称截止电压或阈值电压 2。漏源电压对沟道的影响 当vGS一定（VGS(off)vGS0)随着vDS的增加,vDS增加（D端反偏压增加），最终使D端的沟道夹断，（vDG=-VGS(off)点为预夹断）预夹断以后，vDS增加，iD不再增加。 N沟道结型场效应管输出特性和转移特性曲线 注意：N沟道结型场效应管的vGS不允许为正 1.5.2.4结型场效应管的模型 模型类似于MOS场效应管：其中iD在各个工作区的表达式为： 1.截止区：vGS≤VGS(off) iD=0 2.可变电阻区： 0vGSVGS(off),vDS vGS-VGS(off), 注意：vGS只可为负（N沟道） 3.饱和区：0vGSVGS(off),vDS≥ vGS-VGS(off), 或： 当不考虑沟道调制效应时，即λ＝0或VA＝∞时， 上式可简化。 1.5.3场效应管底主要参数及温度特性 1.阈值电压： 开启电压（VGS(th))：用于增强型场效应管，使得刚刚开始有iD时的栅源电压 截止电压（VGS(off))：用于耗尽型场效应管，使得刚刚开始iD为零时的栅源电压 2.饱和电流（IDSS): 用于耗尽型场效应管，VGS=0时漏源电流 3.输入电阻(RGS)：结型：107Ω，MOS：109 Ω －1015 Ω 4.低频跨导(gm): 表征vGS对iD的控制作用 5.极间电容（CGS,CGD): 表征高频性能 6.极限参数： (1)最大漏源电压(VBR(DS)): 引起沟道雪崩击穿时的vDS (2)最大栅源电压(VBR(GS)):引起栅源间PN结反向击穿时的vGS (3)最大漏极耗散功率(PDM):防止过热所限制的功率 (4)最大漏源电流(IDM): 对工作电流的限制（与功耗等有关） 1.5.3.2温度对场效应管特性的影响 1.温度升高时，阈值电压降低，使得在同一vGS下，iD增加 2.温度升高时，载流子迁移率降低，gm下降 根据右侧曲线，适当选择iD，可使温度的影响降至最低 1.6模拟集成电路中的元件 三极管 电阻 二极管 电容 （自学） 1.7.l 单结晶体管 1、单结晶体管的结构和等效电路 在一个低掺杂的N型硅棒上利用扩散工艺形成一个高掺杂P区，在P区与N区接触面形成 PN结，构成单结晶体管（UJT）结构示意图如图所示。 1．7单结晶体管和晶闸管 P型半导体引出的电极为发射极(e)；N型半导体的两端引出两个电极，分别为基极1(b1)和基极2(b2)。 单结晶体管因有两个基极，故也称为双基极晶体管。其符号如上图所示。 单结晶体管的等效电路如图，发射极所接P区与N型硅棒形成的PN结，等效为极管D，N型硅棒因掺杂浓度很低而呈现高电阻，二极管负极与基极2(b2)之间的等效电阻为rb2,二极管负极与基极1(b1)之间的等效电阻为rb1。 rb1的阻值受e—b1间电压的控制，所以等效为可变电阻。 2、工作原理和特性曲线 单结晶体管的发射极电流Ie与e- b1 之间电压 VEB1的关系曲线称为特性曲线。 特性曲线的测试电路如图所示，虚线框内为单结晶体管的等效电路。 当b2-b1间加电源VBB，且发射极开路时A点电位为 式中η称为单结晶体管的分压比，其数值主要与管子的结构有关，一般在0.5～0.9之间。基极b2的电流为 IB2=VBB/(rb1+r b2) * 1.5 场效应晶体管 场效应管与晶体管不同，它是多子导电(单极型），输入阻抗高，温度稳定性好。 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种: N沟道 P沟道 耗尽型 增强型 耗尽型 增强型 1.5.1MOS绝缘栅场效应管 1. 结构 P N N G S D P型基底 两个N区（高掺杂） SiO2绝缘层 金属铝 N导电沟道 未预留? N沟道增强型 预留? N沟道耗尽型 1.5.1.1N沟道增强型MOS绝缘栅场效应管 P N N G S D G S D N沟道增强型 2.符号 N沟道耗尽型 G S D 栅极 漏极 源极 3. N沟道增强型MOS绝缘栅场效应管工作原理 源极和漏极之间形成背靠背的 两个二极管，无论加什么电压， 总有一