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本科毕业论文 （设计）开题报告
题目：退火温度对AZO 薄膜光学性能的影响
学 院：化学与材料工程学院
专 业： 材料化学
班 级： 11级本科班
学 号：
学生姓名： 肖 旺
指导教师： 刘伟伟
2014 年10 月10 日
凯里学院本科生毕业论文 （设计）开题报告表
论文(设计)名称 退火温度对AZO 薄膜光学性能的影响
论文 （设计） 论文 （设计）类
社会实践 应用研究 指导教师 刘伟伟
来源 型
学生姓名 肖旺 学号 2011438102 专业及班级 11材化
一、研究或设计的目的和意义：
1.AZO 及其优势
-5
ZAO 薄膜任然具有纤维矿结构，电阻率最低可以达到10 Ω.cm 的数量级，在可见光区
的平均透过率不低于85%。且由于ZnO 的储量丰富，因此AZO 薄膜价格低廉，在氢等离子
气氛中稳定性高，易光刻加工，这些优点使得AZO 薄膜有望成为ITO 薄膜的替代品。
目前ITO 和FIO 这两类薄膜的至北京似乎已经很成熟，并已经商业化生产。但是In O
2 3
、
SnO 基薄膜原材料资源稀缺，价格昂贵，因此在一定程度上限制了他们的使用。
2
ZnO基材料由于其低廉的价格，且不具有毒性，易光刻加工，现在已经引起了越来越多
的关注，成为研究的热点
2.AZO 的光学性质
由于AZO 薄膜的禁带宽度大于可见光子能量 （3.1eV）,在可见光照射下会引起本证激
发，所以它对整个可见光是透明的，可见光透射率高达80%-95%，而且AZO 薄膜对电磁波
的本征吸收限约等于360nm，位于紫外区，这是AZO 薄膜紫外截止的性能。
3.在AZO 薄膜制备过程中，退火温度的条件改变对生成薄膜光学性能是否有影响,有什
么影响，影响的程度。我们本次设计是以1 （设备简单、易于原子级掺杂且可精确控制掺杂，
并能在各种基片上制备均匀掺杂的薄膜）。在掺杂过程中控制掺杂离子的浓度，然后设置有
一定梯度的退火温度，如分别设400℃、450℃、500℃、550℃、600℃等温度为薄膜退火
温度；以及不同的降温时间。研究退火温度对生成ZAO 薄膜光学性能的影响，总结出退火
温度对ZAO 薄膜的影响规律。
二、研究或设计的国内外现状和发展趋势：
1.研究现状
目前AZO 薄膜的研究非常广泛，研究方向涉及制备是被方法，工艺参数，薄膜长的掺
杂量，薄膜的结构，光电性能等。他们的目的都是为了降低AZO 薄膜的电阻率，提高骑在
可见光范围的透光率。列如：
Xu Zi-qiang,DengHong 等人利用溶胶-凝胶法在玻璃基地上制备出了掺杂量为1.5mol%
-4
的AZO 薄膜，最小电阻率可达6.2×10 Ω·cm
SatoshiKobayakawa 等人用射频磁控溅射法，通过改变基地温度溅射功率，氧的分压来
寻找制备AZO 薄膜的最佳试验参数，得到最佳质量的AZO 薄膜的表面电阻率为2.53×10-2
2,
Ω/cm 可见光范围内的透光率为89.9%而在同样的试验参数下所制得的ITO ，可见光范围内
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