第16章刻蚀.pptVIP

集成电路工艺 第一章 半导体产业介绍 集成电路工艺 第16章刻蚀 目标 举出并论述9个重要的刻蚀参数 解释干法刻蚀的过程极其优点 解释高密度等离子体刻蚀的好处 举出一个介质、硅、金属干法刻蚀的实际例子 论述湿法刻蚀极其应用 解释光刻胶的去除过程 提纲 1.概述 2.刻蚀参数 3.干法刻蚀 4.等离子体刻蚀反应器 5.干法刻蚀的应用 6.湿法刻蚀 7.去除光刻胶 8.刻蚀检查 1.概述 刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。 刻蚀的基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形。 有图形的光刻胶层在刻蚀中不受到刻蚀源显著的侵蚀，这层掩蔽膜用来在刻蚀中保护硅片上的特殊区域而选择性地刻蚀掉未被光刻胶保护的区域。 刻蚀工艺 基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法刻蚀 干法刻蚀是把硅片表面曝露于气态中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口，与硅片发生物理或化学反应，从而去掉曝露的表面材料。 湿法刻蚀是用液体化学试剂以化学方式去除硅片表面的材料，一般用于尺寸较大的情况（大于3μm ）。 刻蚀的材料 金属刻蚀 介质刻蚀 硅刻蚀 有图形刻蚀和无图形刻蚀 有图形刻蚀采用掩蔽层来定义要刻蚀掉的表面材料区域，只有硅片上被选择的这一部分在刻蚀过程中刻掉。 无图形刻蚀、反刻或剥离是在整个硅片没有掩蔽的情况下进行的。 2.刻蚀参数 刻蚀速率 刻蚀剖面 刻蚀偏差 选择比 均匀性 残留物 聚合物 等离子体诱导损伤 颗粒沾污和缺陷 刻蚀速率 刻蚀速率是指刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度，通常用?/min表示。 刻蚀速率＝ΔT/t (?/min) 刻蚀窗口的深度称为台阶高度。 刻蚀速率由工艺和设备决定，如被刻蚀材料类型、刻蚀机的结构配置、使用的刻蚀气体和工艺参数设置。 刻蚀剖面 刻蚀剖面指的是被刻蚀图形的侧壁形状。 两种基本的刻蚀剖面：各向同性和各项异性刻蚀剖面。 刻蚀偏差 刻蚀偏差是指刻蚀以后线宽或关键尺寸间距的变化，它通常是由于横向钻蚀引起的，但也能由刻蚀剖面引起。 刻蚀偏差＝Wb-Wa Wb=刻蚀前光刻胶的线宽 Wa=光刻胶去掉后被刻蚀材料的线宽 选择比 选择比指的是同一刻蚀条件下被刻蚀材料与另一种材料相比刻蚀速率快多少。 高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。 关键尺寸越小，选择比要求越高。 S=Ef/Er Ef=被刻蚀材料的刻蚀速率；Er＝掩蔽层材料的刻蚀速率 均匀性 刻蚀均匀性是一种衡量刻蚀工艺在整个硅片上，或整个一批，或批与批之间刻蚀能力的参数。 均匀性的一些问题是因为刻蚀速率和刻蚀剖面与图形尺寸和密度有关而产生的。刻蚀速率在小窗口图形中较慢，甚至在具有高深宽比的小尺寸图形上刻蚀会停止。 具有高深宽比硅槽的刻蚀速率要比具有低深宽比硅槽的刻蚀速率慢。称为深宽比相关刻蚀(ARDE)，也称为微负载效应。 残留物 刻蚀残留物是刻蚀以后留在硅片表面不想要的材料。 它常常覆盖在腔体内壁或被刻蚀图形的底部。 产生原因：被刻蚀膜层中的污染物、选择了不合适的化学刻蚀剂、腔体中的污染物、膜层中不均匀的杂质分步。 聚合物 聚合物的形成有时是有益的，是为了在刻蚀图形的侧壁上形成抗刻蚀膜从而防止横向刻蚀，这样能形成高的各向异性图形。 因为聚合物能阻挡对侧壁的刻蚀，增强刻蚀的方向性，从而实现对图形关键尺寸的良好控制。 这些聚合物是在刻蚀过程中由光刻胶中的碳转化而来并与刻蚀气体（如C2F4）和刻蚀生成物结合在一起而形成的。 等离子体诱导损伤 包含具有能量的离子、电子和激发分子的等离子体可引起对硅片上的敏感器件引起等离子体诱导损伤。 一种主要的损伤是非均匀等离子体在晶体管栅电极产生陷阱电荷，引起薄栅氧化硅的击穿。 颗粒沾污 等离子体带来的硅片损伤有时由硅片表面附近的等离子体产生的颗粒沾污而引起的。 氟基化学气体等离子体比氯基或溴基等离子体产生较少的颗粒，因为氟产生的刻蚀生成物具有较高的蒸汽压。 3.干法刻蚀 刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制 好的CD控制 最小的光刻胶脱落或粘附问题 好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性 较低的化学制品使用和处理费用 干法刻蚀缺点 对下层材料的差的刻蚀选择比 等离子体带来的器件损伤 昂贵的设备 刻蚀作用 化学作用——化学反应——各向同性 物理作用——溅射刻蚀——各向异性 物理和化学混合作用，其中离子轰击改善化学刻蚀作用。刻蚀剖面可以通过调节等离子体条件和气体组分从各向同性向各向异性改变。 4.等离子体刻蚀反应器 发生刻蚀反应的反应腔 一个产生等离子体的射频电源 气体流量控制系统 去除刻蚀生成物和气体的真空系统 刻蚀选择材料 氟刻蚀二氧化硅 氯和氟刻蚀铝 氯、氟和溴刻蚀硅 氧刻蚀光刻胶 控制参数 真空度 气体混合组分 气流流速 温度 射频功率 硅片相对等离子体的位置 干法等离子体反应器 圆筒式等离子体反