第2章 高频电路.ppt

共射电路同时具有较大的电压放大倍数和电流放大倍数，输入电阻和输出电阻值比较适中，一般只对输入电阻、输出电阻和频率响应没有特殊要求的，均常采用。广泛用作低频电压放大电路的输入级、中间级和输出级。 共集电路的特点是电压跟随，而输入电阻很高、输出电阻很小，常被用作多级放大电路的输入级、输出级或作为隔离用的中间级。 共基电路的特点是具有很低的输入电阻，使晶体管结电容的影响不显著，频率响应得到很大改善，常用于宽频带放大器中。由于输出电阻高，也可作为恒流源。 中和法的缺点： 1、由于ｙre是随频率而变化的, 所以固定的中和电容ＣN只能在某一个频率点起到完全中和的作用, 对其它频率只能有部分中和作用 2、又因为ｙre是一个复数, 中和电路应该是一个由电阻和电容组成的电路, 但这给调试增加了困难。另外, 如果再考虑到分布参数的作用和温度变化等因素的影响, 中和电路的效果很有限。 失配法：通过增大负载导纳ＹL, 使输出电路严重失配, 回路总电导gΣ增大，输出电压相应减小, 从而反馈到输入端的电流减小, 这样对输入端的影响也就减小了。 失配法是用牺牲增益来换取电路稳定的。 用两只晶体管按共射—共基方式连接成一个复合管是经常采用的一种失配法。图2.2.5是其结构原理图。 图 2.2.5 共射—共基电路 从式（2.2.3）可知，当负载导纳YL很大时，晶体管输入导纳Yi≈yie， 其中的反馈分量可以忽略，晶体管可以看成是单向工作， 所以又称失配法为单向化方法。 由于共基电路的输入导纳较大, 因此当它和输出导纳较小的共射电路连接时, 相当于使共射电路的负载导纳增大而失配, 从而使共射晶体管内部反馈减弱, 稳定性大大提高。 第2章 高频小信号放大电路 2.1 概述 2.2 谐振放大器 2.3 宽频带放大器 2.4 集成高频小信号放大电路 2.5 章末小结 高频放大电路 小信号放大电路 功率放大电路 窄带（KHz~MHz） 宽带（MHz~GHz） 具有选频、放大功能 对频带宽度在几兆赫兹甚至几吉赫兹以上的微弱信号进行线性放大 要求电路上限截至频率很低，下限截至频率很高 集中选频放大器 = 宽频带放大器 + 集中选频滤波器 对窄带信号进行放大 谐振放大器 集中选频放大器 2.3 宽频带放大器 宽频带放大电路也由晶体管、 场效应管或集成电路提供电压增益。 为了展宽工作频带, 不但要求有源器件的高频性能好, 而且在电路结构上采取了一些改进措施。 宽频带放大器中的晶体管特性宜采用混合π型等效电路分析 各参数的关系： (在室温下) 其中，k为波尔兹曼常数, T是电阻温度(以绝对温度K计量), IEQ是发射极静态电流, β0是晶体管低频短路电流放大系数 发射结电阻 re折合到基极回路的等效电阻 跨导 对电路适当简化： 1、由于rce和rb’c较大, 一般可以将其开路 2、由于Cb′c跨接在输入、输出端之间, 是双向传输元件。可以把Cb’c折合到输入端b′、e之间, 与电容Cb’e并联, 其等效电容为 (2.3.1) 即把Cb’c的作用等效到输入端, 这就是密勒效应。 其中gm是晶体管跨导, RL′ 是考虑负载后的输出端总电阻, CM称为密勒电容。 图 2.3.2 简化高频混合π型等效电路 利用密勒效应后的简化高频混合π型等效电路如图2.3.2所示。 从式(2.3.1)可以看到, 集电结电容Cb′c等效到输入端以后, 电容值增加为原来的 (1+gmRL′)倍。 虽然Cb′c数值很小, 一般仅几皮法, 但ＣM一般却很大。密勒效应使共射电路输入电容增大, 容抗减小, 且随频率的增大容抗更加减小, 导致高频性能降低。 因为在共基电路和共集电路中, Cb′c处于输出端, 或者处于输入端, 无密勒效应。 考虑电容效应后, 晶体管的电流增益是工作频率的函数。下面介绍三个与电流增益有关的晶体管高频参数。 1. 共射晶体管截止频率ｆβ 共射短路电流放大系数β是指混合π型等效电路输出交流短路时, 集电极电流Ic与基极电流Ib的比值。从图2.3.1可以看到, 当输出端短路后, 若忽略rb′c，则 rb′e 、Cb′e和Cb′c 三者并联。 . . . 其中 (2.3.3) 由于β0比1大的多,在频率为fβ时,|β|虽然下降到原来的0.707 但是仍然比1大的多,因此晶体管还能起到放大的作用。 2. 特征频率fT 当β的幅值下降到1时, 对应的频率定义为特征频率fT。 . 3. 共基晶体管截止频率fα 共基短路电流放大系数α是晶体管用作共基组态时的输出交流短