第3章 电阻式传感.pptVIP

* 二、压阻式传感器在医学中的应用 1．心内导管压阻式压力传感器。 组成：双硅片悬臂梁、薄膜、双臂电桥。 压应力△R1↓ 拉应力△R2↑ 测量：心脏各腔室的压力 工作原理：压力→薄膜→双硅片悬臂梁———————→双臂电桥—→U0 弯曲 技术指标： 具有温度补偿效应 频响1000Hz以上，灵敏度 * 3．针式压阻传感器 组成：硅片，扩散4个电阻构成全桥，φ0.9mm，装入注射针孔。 测量：体内腔室（心房、心室）和管道（动脉压、静脉压）的压力。 4．扩散硅型脉压针 组成：扩散硅膜片，硅油密封腔，硅橡胶膜。 测量：指尖、桡骨、手腕等部份的脉压。 工作原理：血管脉动→硅橡胶膜变形→硅油压变化→扩散硅片变形→ V输出←全桥←△R变化←压阻效应← ↓ 2．植入式压力传感器 组成：压阻元件，（扩散膜片厚10μ，外径0.5mm） 原理：同圆形平膜片压阻传感器 * 作业： 1.一电阻应变片接入恒压式等臂电桥电路的一臂，应变片阻值为60欧，桥压V=6伏，电阻应变片灵敏度系数K=2，当被测量产生的应变为400εμ时，分别用20KΩ、2KΩ、200Ω内阻的电压表测量输出电压时，各表指示电压V。为多少？若想提高系统灵敏度，应采取什么措施？ 2. 为了测量悬臂梁的应变，把一个电阻R=1KΩ、K=2以及室温时温度系数为3.8×10-3/℃o 的应变片安装在粱上，并与如图所示的电桥相连接。电桥检波器电阻为100Ω，是敏度为1o／μA,并忽略电源内阻抗．求： (1)如果应变片变化0. 1％，计算检波器偏转多少度。 (2)假设应变片电阻变化主要由温度变化所引起，试计算室温上升10℃时等效应变的变化量。 (3)提出一种减小此温度影响的方法。 * （1）剪切应力不可能产生正向压阻效应，即：i =1、2、3，j=4、5、6时， =0 （2）拉压应力不可能产生剪切压阻效应，即：i =4、5、6，j=1、2、3时， =0 （3）剪切应力只能在该剪切平面内产生压阻效应，即：i =4、5、6，j=4、5、6 且i≠j时， =0 （4）由立方晶体的对称性： ①纵向压阻效应相等，即：π11=π22=π33， ②横向压阻效应相等，即：π12=π21=π13=π31=π23=π32 例如，π11 --x方向受到拉压应力，在x方向产生正向压阻效应。 例如，π12--y方向受到拉压应力，在x方向产生横向压阻效应。 ③剪切压阻效应相等，即：π44=π55=π66 * ∴ 独立压阻系数分量只有π11、π12、π44，由实测获得。 晶轴坐标系压阻系数矩阵可写成： = π11—正向压阻系数，π12—横向压阻系数，π44—剪切压阻系数。 * 以上的π11、π12、π44是相对于晶轴坐标而言，任意晶向的纵向压阻系数 和横向压阻系数 ，用书中下式计算。 (3-27b) 知道了纵向应力和横向应力的方向，通过π11、π12、π44可计算出任意晶向的 、 ，再计算电阻相对变化率， π11 π12 π44 电阻率 P型硅 6.6 -1.1 138 7.8 N型硅 -102.2 53.4 -13.6 11.7 附表：P型、N型硅主要晶向的纵向、横向压阻系数。 * 晶向的表示法： ①密勒指数 截距表示法： 晶面在三个晶轴上的截距分别为r、s、t，其最小公倍数与各截距的倒数1/r、1/s、1/t分别相乘，得到三个没有公约数的整数a、b、c, 称为密勒指数。 则晶向记作 a b c ，当为负数时，记作 例：晶面垂直于x轴,r=1,s=t=∞,则 a=1/r，b=1/s=0， c=1/t=0，晶向为 1 0 0 * ②方向余弦 法线表示法：过原点O作rst平面的法线，OP取为1个单位，与x、y、z轴的夹角为α、β、r，交点为L、M、N，用方向余弦cosα、cosβ、cosr表示晶向。 (3-27c) * 硅单晶体内不同晶面和晶向的表示法如上图所示 * 3.3.3 扩散型压阻式传感器 在半导体基片上用集成电路工艺制成扩散电阻 （4个等值电阻构成平衡电桥）； 优点： 灵敏度高，分辨力高，体积小，可靠性好； 缺点： 温度特性差。 分类： 扩散型压阻式压力传感器； 固态压阻式加速度传感器。 * 1．扩散型压阻式压力传感器 工作原理： ， * - 切向应力 当 ， 径向应力 r0 —膜片有效半径，r —计算点半径 当， 拉应力， ， ， 压应力 时， ， 110晶向的方向余弦： ， ， （∵a=1，b=1，c=0） * 其横向0