原创力文档- 1、本文档共6页，其中可免费阅读2页，需付费100金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
实验四探针法测电阻率实验目的学习用四探针法测量半导体材料的体电阻率和扩散薄层的电阻率及方块电阻实验内容硅单晶片电阻率的测量选不同电阻率及不同厚度的大单晶圆片改变条件光照与否对测量结果进行比较薄层电阻率的测量对不同尺寸的单面扩散片和双面扩散片的薄层电阻率进行测量改变条件进行测量与相同对结果进行比较实验原理在半导体器件的研制和生产过程中常常要对半导体单晶材料的原始电阻率和经过扩散外延等工艺处理后的薄层电阻进行测量测量电阻率的方法很多有两探针法四探针法单探针扩展电阻法范德堡法等我们这里介绍的是四探针法
实验 四探针法测电阻率
1．实验目的：
学习用四探针法测量半导体材料的体电阻率和扩散薄层的电阻率及方块电阻。
2．实验内容
硅单晶片电阻率的测量：选不同电阻率及不同厚度的大单晶圆片，改变条件（光照与否），对测量结果进行比较。
薄层电阻率的测量：对不同尺寸的单面扩散片和双面扩散片的薄层电阻率进行测量。改变条件进行测量（与①相同），对结果进行比较。
3． 实验原理：
在半导体器件的研制和生产过程中常常要对半导体单晶材料的原始电阻率和经过扩散、外延等工艺处理后的薄层电阻进行测量。测量电阻率的方法很多，有两探针法，四探针法，单探针扩展电阻法，范德堡法等，我们这里介绍的是四探针法。因为这种方法
文档评论（0）