第三章 mos管和cmos电路.ppt

一、MOS管的结构和工作原理 VGD=VGS-VDS , 当VDS为0或较小时，VGD＞VGS(th)，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。 MOSFET的特性曲线 增强型MOS管特性小结 耗尽型MOSFET 耗尽型MOSFET的特性曲线 双极型三极管与场效应三极管的比较 3.5.2 CMOS反相器 等效电路 A＝0，B=1，Y=1 0 1 1 导通 截止 1 A＝1，B=1， Y=0 1 1 1 导通 0 截止 综合上述： 或非门 CMOS传输门 (a) 电路； (b) 符号 二、CMOS传输门和双向模拟开关 C C′ V 2 V 1 U I / U O U O / U I U DD ( a ) TG U I / U O U O / U I C′ C ( b ) C=1， ＝0传输门导通 C=0， ＝1传输门截止 把一个传输门TG和一个非门按图 (a)连接起来，即可构成模拟开关，其符号图(b)所示。当C=1时，开关接通；当C=0时，开关断开。该模拟开关也是双向器件。 CMOS模拟开关 (a) 电路； (b) 符号 二、CMOS传输门和双向模拟开关 C=1时，开关接通 C=0时，开关截止 * * * 数字电子技术基础 阎石主编（第五版） 信息科学与工程学院基础部 与非门扇出系数的计算 前级输出为高电平时，求N1时考虑门的输入端的个数；前级输出为低电平时，求N2时不考虑门的输入端的个数。取较小者为扇出系数。 或非门扇出系数的计算 前级无论输出为高低电平，求N都考虑输入端的个数。 【 】 内容回顾 S (Source)：源极 G (Gate)：栅极 D (Drain)：漏极 B (Substrate):衬底 金属层 氧化物层 半导体层 PN结 § 3.5 CMOS门电路 3.5.1 场效应管 UDS iD （1）栅源电压VGS的控制作用 当UGS＝0 时, 因为漏源之间被两个背靠背的 PN结隔离，因此，即使在D、S之间加上电压, 在D、S间也不可能形成电流。 所以UDS0时，iD＝0。 1. N沟道增强型场效应管的工作原理 UDS 耗尽层 iD 当 0＜VGS＜ UGS(th) (开启电压)时, 通过栅极和衬底间的电容作用，将栅极下方P型衬底表层的空穴向下排斥，同时，使两个N区和衬底中的自由电子吸向衬底表层，并与空穴复合而消失，结果在衬底表面形成一薄层负离子的耗尽层。漏源间仍无载流子的通道。管子仍不能导通，处于截止状态。 栅源电压VGS的控制作用 UDS iD 当VGS＞ U GS(th) (开启电压)时， 衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称此为反型层。形成N源区到N漏区的N型沟道。 把开始形成反型层的VGS值称为该管的开启电压 UGS(th) 。 栅源电压VGS的控制作用 导电沟道形成了!!! 反型层 UDS iD 当VGS＞ UGS(th) (开启电压)时， 若VDS 0，就能产生漏极电流 ID，即管子开启。 VGS值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样 VDS 电压作用下， ID就越大。这样，就实现了输入电压 VGS 对输出电流 ID 的控制。 栅源电压VGS对I D的控制作用 反型层 UDS iD (2) .漏源电压VDS对沟道导电能力的影响 当VDS增加到使VGD=VGS(th)时，漏极处沟道将缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断。源区的自由电子在VDS电场力的作用下，仍能沿着沟道向漏端漂移，一旦到达预夹断区的边界处，就能被预夹断区内的电场力扫至漏区，形成漏极电流。 当VDS增加到使VGD?VGS(th)时，预夹断点向源极端延伸成小的夹断区。由于预夹断区呈现高阻，而未夹断沟道部分为低阻，因此， VDS增加的部分基本上降落在该夹断区内，而沟道中的电场力基本不变，漂移电流基本不变，所以，从漏端沟道出现预夹断点开始， ID基本不随VDS增加而变化。 漏极输出特性曲线 此区域内: iD仅与uGS有关。故称为恒流区（饱和区）。 N 沟道增强型场管特性曲线 该区域中：曲线近似为不同斜率的直线，称为可变电阻区。 直线斜率的倒数为d-s间的等效电阻。该电阻值随uGS改变而改变。 N 沟道增强型场管特性曲线 此区域中 : uGS uGS(th) ,iD=0, 称为截止区。 N 沟道增强型场管特性曲线 D S B G N 沟道增强型场效应管 NPN 型三极管 e c b G------- b D------- c S------- e 与 NPN 三极管相似， NMOS管为电压控制