半导体二极管及单相半波整流滤波电路浙江广厦建设职业技术学院.pptVIP

参数估算 ： 单相半波整流滤波电路 参数估算： U0=U2 小结: 1、半导体二极管具有单向导电的特性 2、单相半波整流、滤波电路的工作原理与参数计算 3、二极管极性判断及性能测试 4、使用示波器观察单相半波整流、滤波电路中变压器二次绕组、负载上电压波形 作业：见参考书2 ⑴ P 66 1 4（二极管型号不作要求） 半导体二极管及单相半波整流、滤波电路 制作：浙江广厦建设职业技术学院 信息与控制工程学院  一、半导体二极管 1、半导体二极管的特性：半导体二极管具有单向导电性。 为什么会具有单向导电性？ 2、半导体二极管的结构和符号 二极管内部有一个PN结，PN结具有单向导电性，所以二极管也具有单向导电性。 问：什么叫PN结呢？它是如何形成的呢？接下去我们来看一下半导体的分类和特性。？ 1、导体 自然界中很容易导电的物质称为导体， 金属一般都是导体。 2、绝缘体 有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 3、半导体 另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 二、半导体基本知识 4、本征半导体结构 Ge Si 通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。 本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。 硅和锗的晶体结构： 硅和锗的共价键结构 共价键共 用电子对 +4 +4 +4 +4 +4表示除去价电子后的原子 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。 形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。 共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。 +4 +4 +4 +4 5、本征激发 (1).载流子、自由电子和空穴 在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。 在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 束缚电子 (2).本征半导体的导电机理 +4 +4 +4 +4 在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。 本征半导体中电流由两部分组成： 自由电子移动产生的电流。 空穴移动产生的电流。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。 6、杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。 N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。 （1）N 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷，晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。 +4 +4 +5 +4 多余 电子 磷原子 N 型半导体中的载流子是什么？ 1.由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。 2.本征半导体中成对产生的电子和空穴。 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。 （2）P 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼，晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原 子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。由于硼原子接受电子，所以称为受主原子。 +4 +4 +3 +4 空穴 硼原子 P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。 杂质半导体的示意表示法： － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P 型半导体 +