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教 案 课程名称： 半导体器件物理 授课教师 孟庆巨 所在单位 电子科学与工程学院 课程类型 课堂理论教学 授课时间 06 年 3 月2 日 第四大节 吉林大学电子科学与工程学院微电子、光电子、电子科学与技术专业 授课对象 本科生(04 级) 孟庆巨 刘海波 孟庆辉著《半导体器件物理》（科学技术出版社2005 教 材 第一版，2005 年 6 月第二次印刷） 授课内容 §2.1 热平衡 P −N 结 §2.2 加偏压的 P −N 结 时间分配及 教学内容提要 备注 · 利用热平衡时载流子浓度分布与自建电势的关系求中性区电势 5 分钟 及PN结空间电荷区两侧的内建电势差 · 解poisson’s Eq 求突变结空间电荷区内电场分布、电势分布、40 分钟 内建电势差和空间电荷区宽度 （利用耗尽近似） · 画出热平衡和正、反偏压下 PN 结的能带图，定性说明 PN 结的 40 分钟 单向导电性 小结： 5 分钟 掌握解poisson’s Eq 求突变结空间电荷区内电场分布、电势 分布、内建电势差和空间电荷区宽度 （利用耗尽近似）的方法， 给出了热平衡和偏压下PN结的能带图。 能够了解 poisson’s Eq 求解突变结空间电荷区内的电场分 教学目的 布，电量分布，内外电势差和空间电荷区宽度。画出加偏压PN结 及 要 求 的能带图。 重点：解 poisson’s Eq 求突变结空间电荷区内电场分布、电势 教学重点 分布、内建电势差和空间电荷区宽度 （利用耗尽近似） 与 难 点 难点：定性说明PN结的单向导电性 课堂讲授＋多媒体演示 教学手段 教学网站中提供的本章的参考文献 参考资料 §2.2 节小结  1.PN 结具有单向导电性。 2. 加偏压的 PN 结的能带图的画法： 正偏压 a. 先画出远离 PN 结空间电荷区的中性区的准费米能级 EFn 和 EFp 。 偏压 V 使热平衡费米能级分裂，N 区准费米能级 EFn 相对 P 区准 费米能级 EFp 上移 qV 。 相应地，N 区各个能级上移 qV 。 b. 在空间电荷区由于 n 、pn i ，可以认为费米能级 EFn 和 EFp 通 过空间电荷区时分别不变。 c. 在空间电荷区 N 侧，空穴准费米能级从 EFp 逐渐升高,最后与准 课后小结 电子费米能级 EFn 相等。这个空穴准费米能级变化的区域，称为 空穴扩散区。类似地，在空间电荷区 P 侧 EFn 逐渐下降,最后与空 穴准费米能级相等。这个电子准费米能级变化的区域，称为 电 子扩散区。 反偏压 a.N 区接正电位，在远离 PN 结空间电荷区的中性区，EFn 及诸能 级相对 P 区 EFp 下移