烧结温度对li2(mg1-2zn1-2)sio4系微波陶瓷介电性能的影响资料.pdfVIP

第36卷 第5期 电 子 元 件 与 材 料 Vol.36 No.5 2017年5月 ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS May 2017 研 究 与 试 制 烧结温度对Li (Mg Zn )SiO 系微波陶瓷介电性能的影响 2 1/2 1/2 4 1 1 1 2 3 3 屈婧婧 ，魏 星 ，马 莉 ，刘 飞 ，袁昌来 ，黄先培 （1. 桂林航天工业学院 计算机科学与工程系，广西 桂林 541004；2. 桂林电子科技大学 机电工程学院，广西 桂 林 541004；3. 桂林电子科技大学 材料科学与工程学院，广西 桂林 541004） 摘要: 采用传统固相合成法制备了Li (Mg Zn )SiO 微波介质陶瓷，并系统研究了该陶瓷的相成分、微观形 2 1/2 1/2 4 貌、微波介电性能与烧结温度之间的影响关系。XRD结果表明：在1100~1180℃温度烧结，该体系的主晶相均为 Li (Mg Zn )SiO ，但同时也伴随有少量的MgSiO 第二相。SEM结果表明：随着烧结温度的升高，样品的晶粒 2 0.8 0.2 4 3 尺寸不断增加，尤其是当烧结温度为1180℃时，有些大晶粒出现了开裂现象，这会在一定程度上降低样品的品质 因数(Q ·f )。因此，对于微波介电性能，随着烧结温度的增加，Li (Mg Zn )SiO 陶瓷的Q ·f 值呈先增后减趋势， 2 1/2 1/2 4 而相对介电常数(ε )的数值较为稳定；此外，该体系谐振频率温度系数(τ )随烧结温度的增加逐渐向正值方向移动。 r f 当在1160℃烧结4 h时，Li (Mg Zn )SiO 陶瓷可获得最佳的微波介电性能：ε = 6.09，Q ·f = 21 616 GHz (f =11.62 2 1/2 1/2 4 r –6 GHz)和τ –64.34×10 /℃。 f 关键词: 微波陶瓷；Li (Mg Zn )SiO ；微观形貌；相成分；烧结温度；介电性能 2 1/2 1/2 4