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红外焦平面的破坏性物理分析 扬少华 06l01 f镕也产Ⅱ部电干第五研完所电干元器件可靠性曲理醍其压用国末蛾童￡宾碧主，r¨5l 摘要虹外焦平面探删器的生产祁应用日盐增多．‘但产品的成品宰和质量一致性是毋扰磷制单 位的难题．本文针对红外焦平面的结构和工艺特点，利用破坏性物理分析(DPA)在质量控验方面 的独特优势，探索性地提出了DPA的分析程序和项目。 关键词红外蔫平面破坏性物理分析 红外探测技术是一种重要的探测手段，己广泛麻阁下各种军事领域。同时出丁制造成本 的酐低，1I制冷红外成像技术也在J：业、医疗等睢Hj领域日增多。红外焦平面阵州(FPA) 为目前国内急需的红外成像的关键器件。经过几十年来的发展，国内已取得重人突破，在部 分{直术性能指标上满足要求。但由于生产过程和工艺控制方面的问题，导致产t铺的可靠性和 质量致性与国外产品相比有一定差距。 DPA分析在质量检验和工艺分析方面的特殊优势，通过一系列分析程序．它可以发现 荐种产品在设计或工艺方商存在的薄弱环节，以便采取针对措施，提高质量和成品率。目前 国山红外焦平面的生产和应用日益增多，而产品的成品率和质量一致性一直是甚扰研制单位 的难题。针对这种状况．囡此有必要开展红外焦平面的DPA分析．找出产品的质量薄弱环 协．＆进设计和I．艺。但目前GJB 性地提出了其DPA的分析程序和项目，但DPA的判据是值得探讨的问题。 1红外焦平面的结构和工艺特点 红外搽测器技术正在由第二代阵列技术向第二代微型化高密度和高性能红外焦平面阵 列技术方向笈展11。”，具有超高密度集成探测器元、高性能、高可靠性和小型化等特点- FPA由红外探测器和读出电路两部分组成，按结构分粪可分成单片式和混台式两种。单 片式集成在一个硅衬底上．即读出电路和探测器都在同一片芯片上。混台式是指红外探洲器 剌读出电路分别用两材料，如H窖cdTd探蒯器。混合电路有倒装式和环孔式，目前主要采用 的结构为倒装式，见图1所示，即探测器阵列与读出电路之间采用铟柱倒装互连。 图1混合型红外焦平面的结构 ·J5· 红外焦平面阵列包括光敏元件和读出电路两部分．可来J{I{不同的红外光子探驯器、信号 电荷凄出电路和多路传输方式。目前红外焦平丽太多采用倒装式的结构．其中红外光敏阵州 与辟CCD读出电路之间通过铟柱互连起米。这样就可以把高鼙子效率的红外探测嚣阵列嗣j r艺上相当成熟的硅CCD结构耦合为一体，从而制成高性能的红外焦平面阵列。 高性能的红外焦平面需要解决如下几个关键问题：探测器材料的生长、读出电路的设计、 混成上艺-探测器材料方面需要解决：高精度的探测器材料的生长、村麻减薄工艺和钝他瑶 的均匀性几个问题。读出电路要求高量子转移率、低噪声、低功耗的电路设计。混成工艺要 解决光敏元件和硅电路之间的互连问题．它要求铟柱良好的平整性、无氧化。此外还必须解 决平顶刻蚀、铟柱生长、欧姆接触、焊接的温度或压力控制等问题。 混成E艺的关键点有：平顶的刻蚀．欧姆接触的形成，镏膜和铟柱的制备。铟柱的对准， 乐焊I艺等。刻蚀目前有三种方法：湿法、干法和等离予法，目前以千法塞4蚀居多，三种刻 蚀的形貌址幽2。铟膜的制各有蒸发法和溅射法，铝膜的应保持高的平铑度雨l不能被氧化。 铟梓生K有直接K枉法和再流焊法，目前国内多采J{j直接长牲法。 2红外焦平面的DPA分析 580B 参考GJB4027—2000及MIL-STD．1以及红外焦平面的村料、结构平¨l艺特点． 丰文探索性地提出了DPA分析的程序和项目见表1所示。其中相芙的缺陷来自相芙的参 考文献舯I．但其中井没有给出明确的DPA判据．需要进一步探讨 表1FPA的DPA分析程序和项目 序号 项目 条鼓 1 GJB 外部目检 548．96A方法2009A