纳米TiO2复合薄膜光生阴极保护特性的研究论文.pdfVIP

i 纳米T0。复合薄膜光生阴极保护特性的研究 李静 杜荣归林昌健’ (厦门大学化学化T学院化学系．固体表面物理化学国家重点实验室， 厘门361005) 摘要： 合膜，31A紫外光照对薄膜进行改性。利用sEM，XRD，XPS等手段，对纳米薄膜的形貌、晶型、组成等进行表征．采用 腐蚀电化学和光电化学相结合技术，测试膜层的光电化学性质，研究Ti02及复合半导体薄膜对金属基体的光生阴极保 外光照射下可使316不锈钢和铜基体处于阴极保护状态，停止光照后，光生电位仍可维持较低电位一段时闻。掺N的 n02膜对波长大于500hm的可见光具有较强的光电响应，光照下对316L和铜基体起到阴极保护作用，暗态下、光生电 位继续保持。 关键词：光生阴极保护、纳米Ti02复合膜、腐蚀与保护、紫外光、可见光 l前言 近年来，纳米Ti02的光电化学特性及其在太阳能电池、光催化降解污染物等领域的戍用已有大 量的研究。将光照下涂覆于金属表面的纳米氧化钛薄膜产生的光生阴极保护作用应用于金属防腐蚀 已经引起科学家的极大兴趣。所谓光生阴极保护指的是，半导体薄膜在光照条件下，价带电子吸收光予 激发跃迁到导带’产生光生电子．空穴对，光生电子向电势较低的金属表面迁移，降低金属表面电势。 并可远低于金属的自然腐蚀电位，此时金属即处于阴极保护状态．然而。禁带宽度为3．2eV的锐钛矿 晶型啊02在波长小于387nm的紫外光(UV)照射下才显示相对高的反应活性和化学稳定性，但光电转 换效率低，暗态下由于光生电子．空穴对复合较快，难以起到持续的阴极保护作用，光吸收范围窄，可 见光下几乎没有作用。针对这些问题，可以对Ti02进行过渡金属离子或氧化物的掺杂，Shinohara曾报 道掺杂Fe的Ti02多层结构复合膜可以在暗态下维持光生电位一段时间，但膜层复杂难以实际应用。目 过渡金属掺杂的缺点是易于形成载流子复合中心且热不稳定。另外传统溶胶凝胶法膜层成品所要求 的煅烧过程，可导致粒径增大，而光电效应同时依赖于纳米半导体的粒度和晶化程度14】对于光生阴极 保护作用，由于高温煅烧过程中金属基体氧化形成的化合物可能对阴极保护产生一个光生电位瞬间 上升的P型效应的影响pJ。 由于sn具有多价态，Sn02可以作为光照下的电子储存器州。掺杂N可以减d,Ti02半导体的禁带宽 度”j有利于阴极保护．本文采用溶胶凝胶法和光辅助溶胶凝胶法相结合的技术制备致密均匀粒度 可控的纳米Ti02复合膜，通过掺杂sn02强化在紫外光及暗态下的光生阴极保护，湿法掺杂N元素，实 现了N—Ti嘎膜在540～550m的可见光照射下对不锈钢及铜的光生阴极保护作用，且在暗态下阴极保 护作用继续保持。 2实验 2．1试剂与仪器 Philips公司生产的Panalytieal x丰疗brt多晶粉末衍射仪测试纳米粉末及膜的晶型，采用cuKa靶，波长 为0．1506 Chime mA；光电化学测试采用PGSTAT30(荷兰EWBV)Autolab电化学T作站；光电化学 联用系统光源为LPXl50氤灯和SBP300光栅光谱仪(北京卓立汉光仪器公司)，斩波器，双通道锁相 放大仪，263恒电位仪，入射光的波长可调，光的强度约为1．2 mW．cm4。采用英国VG公司Physical Electrons 2000 Esca Quantum ScanningMicmpmb光电子能谱仪进行x射线光电子能谱(xPs)枷dM。 2．2纳米Ti02一Sn02、N．Ti02、光辅助Ti02、Ti02-Sn02溶胶和薄膜的制备 啊02溶胶的制备以钛酸正四丁酯为前驱体，无水乙醇为溶剂，乙酰乙酸乙酯(EAcAc)为稳定 透明的Sn02溶胶，两种溶胶按l：l摩尔比混和搅拌得浅黄色混和溶胶．掺N的Ti02胶体制备同文献【21 在oC搅拌下将28％的浓氨水缓慢滴加到一定量的钛酸正四丁酯中，将产生的白色沉淀用纯水反复 洗涤，烘干，所得粉末研磨后在空气氛400*(2煅烧6h即得淡黄色粉末，取一定质最的粉末加,KH20和乙 酰丙酮，研磨，搅拌下转移到1．5％I-IN03中，然后按～定比例加入TritonX一100，即可得到N瓜02胶体． 光辅助溶胶口]仍以钛酸正四丁酯、SnCl2820为前