311～1016 GHz 超宽带低噪声放大器设计.PDF

( ) 北京大学学报 自然科学版 ,第 43 卷 ,第 1 期 ,2007 年 1 月 Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis , Vol . 43 , No . 1 (J an . 2007) 31～106 GHz 超宽带低噪声放大器设计 宋睿丰 　廖怀林 　黄 　如 　王阳元 (北京大学微电子系 ,北京 ,100871) μ 摘 　要 　采用标准 035 m Si Ge HBT 工艺设计了工作频段在 31～106 GHz 的超宽带低噪声放大器 。从宽带电路 和高频电路设计的器件选择 、电路结构选择等方面讨论了超宽带低噪声放大器的设计 。结果表明 ,通过合适的电 μ 路结构和器件参数选择 ,可以采用035 m Si Ge HBT 工艺制备满足超宽带系统要求的低噪声放大器 。在整个工作 频段内所设计的低噪声放大器输入输出匹配 S11 和 S22 均优于 - 8 dB ,噪声系数为35 dB , 电路的工作电压为25 V , 电流消耗为438 mA 。 关键词 　低噪声放大器 ; 超宽带 ; 正向增益 S21 ; 噪声系数 中图分类号 　TN 7223 Design of a 31106 GHz Ultra Wideband Low Noise Amplif ier SON G Rufi eng 　L IA O Huailin 　HUAN G Ru 　WAN G Yangy uan ( ) Institute of Microelectronic , Peking University , B eij ing , 100871 Abstract 　A 31106 GHz ultra wideband LNA was designed using standard 035 μ Si Ge HBT process. The simulation result m shows that , with careful selection of circuits structure and device parameters , it is possible to fabricate a UWB LNA using standard 035 μ Si Ge HBT process. In the designed band , the S11and S22 of the designed LNA is better than - 8 dB , and the S21 is m about 11 dB with supply voltage of 25 V and draws a current of 438 mA , and the noise figure of the LNA is 35 dB . Key words 　low noise amplifier ; ultra wideband ; S21 ; noise figure 通讯标准 。 0 　引　言 然而 ,无论是采用脉冲通讯模式还是采用多载