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TiO2和SiO2纳米掺杂聚酰亚胺复合薄膜的电学性能研究.pdf
熊海安等：TiO 和SiO 纳米掺杂聚酰亚胺复合薄膜的电学性能研究 绝缘材料 2017 ，50(5)
30 2 2
TiO 和SiO 纳米掺杂聚酰亚胺复合薄膜的
2 2
电学性能研究
a a a,b
熊海安 ，梅金硕 ，殷景华
（哈尔滨理工大学 a.应用科学学院；b.教育部工程电介质及其应用重点实验室，哈尔滨 150080）
摘要：采用原位聚合法制备了PI/TiO 和PI/SiO 纳米复合薄膜。研究质量分数均为10% 的两种纳米掺杂对PI
2 2
复合薄膜介电性能的影响，采用光刺激放电电流法（PSD ）表征两种纳米颗粒对PI 复合薄膜陷阱能级的影响，
通过陷阱理论对介电性能的影响机制进行探讨。结果表明：TiO 和SiO 纳米掺杂提高了PI 的电导率和介电
2 2
常数，介质损耗相应增加，耐电晕寿命明显提高，电气强度虽有所下降但仍满足实际需要。两种纳米掺杂都在
PI 基体中引入了大量的浅陷阱，PI/TiO 和PI/SiO 复合薄膜的陷阱能级范围分别为1.83~2.85 eV 和2.13~2.83
2 2
eV ，且SiO 纳米颗粒引入的浅陷阱密度低于TiO 纳米颗粒。在此基础上，通过陷阱理论分析了两种复合薄膜
2 2
的耐电晕老化机制。
关键词：聚酰亚胺；光激电流法；纳米复合材料；电学性能；陷阱能级
中图分类号：TM215.3 文献标志码：A 文章编号：1009-9239（2017 ）05-0030-05
DOI ：10.16790/j.cnki. 1009-9239.im.2017.05.007
Study on Electrical Properties of
TiO2 and SiO2 Nano-doping Polyimide Composite Films
a a a,b
Xiong Hai ’an , Mei Jinshuo , Yin Jinghua
(a.College of Applied Science; b.Key Laboratory of Engineering Dielectrics and Its Application, Ministry
of Education, Harbin University of Science and Technology, Harbin 150080, China)
Abstract: PI/TiO and PI/SiO na
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