原创力文档- 1、本文档共6页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
GAT 双极晶体管的高频高压兼容特性3
第 21 卷第 4 期 半 导 体 学 报 . 21, . 4
V o l N o
2000 年 4 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S A p r. , 2000
GAT 双极晶体管的高频高压兼容特性
庄宝煌 黄美纯 朱梓忠 李开航 吴丽清
( 厦门大学物理学系, 厦门 361005)
摘要: 建立了 GA T 器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型, 定量研究了 GA T
的栅屏蔽效应和GA T 的基区穿通电压V P I, 并且解释了该器件实现高频率与高电压兼容的实验
结果. 该模型可供优化设计双极型高频、高压、低饱和压降功率器件参考.
关键词: 高频高压特性; GA T ; 模型
: 2560 ; 0170
EEACC J J
中图分类号: TN 3232 文献标识码: A 文章编号: (2000)
- -
H igh Frequency and H igh Voltage Character istics
on Ga te A ssoc ia ted Tran sistors
, , ,
ZHUAN G Bao huang HUAN G M ei chun ZHU Zi zhong L I Kai hang and W U L i qing
( , , 361005, )
D ep artm ent of P hy sics X iam en U niversity X iam en Ch ina
Received 14 January 1999
:
Abstract T he tw o dim ensional analytical model of the electric po tential and field distribution in GA T ’s
.
co llecto r dep letion layer in the cut off state is derived fo r the first tim e T he GA T ’s gate sh ielding effect
and the GA T ’s base region punch th rough vo ltage V P I are analysed quantitatively, and the experim ental re
文档评论（0）