37高激发密度下的发光.DOC

3.7 高激发密度下的发光 在高激发密度和低温的极端条件下: 两个激子可能结合成一个激子分子； 电子(空穴对可能凝聚为由电子子系和空穴子系组成的等离子体，被称为电子(空穴液滴(EHD)。 激子分子和电子(空穴液滴都是从发光现象的研究中被发现的。 3.7.1 激子分子的发光 激子分子的发光首次在Si中被报道, 后来证明不是激子分子, 而是电子-空穴液滴。 激子分子的发现，应归于1968年对CuCl发光的研究。在低温下用红宝石激光器激发CuCl单晶, 得到CuCl 的发光光谱，除了已知的自由激子发光线外, 在低能方向出现发光的M线和N线, 其发光强度在一定范围内与激发密度的平方成正比, 因此被归结为激子分子的发光。 此后在大多数II-VI化合物，CuBr、CdS、CdSe和ZnO等，以及III-V半导体GaAs中都相继观测到激子分子的发光。 激子分子的总能量等于两个激子的能量减去激子分子的结合能Gm (3.7-1) 激子分子的发光可以理解为其中一个电子-空穴对复合, 剩下一个仍保持为激子。因此，发光的能量为一个自由激子的能量Eex减去激子分子结合能。 (3.7-2) 其中M为电子和空穴的总有效Ep。对于直接跃迁，与Kex有关的动能项可以忽略不计。 激子分子的发光，除了能量较低之外，有一个与激子发光明显不同的特点，就是 激子分子发光强度随激发密度的提高，超线性的增大。这一点常常用来判断是激子发光还是激子分子发光。 设激子的密度为n，激子发光的发光强度 Ix ( n。激子密度一般正比于激发强度Iex，即Ix ( n ( Iex。 激子分子是由两个激子结合在一起形成的，其密度与激子密度的平方成比例，因而其发光强度 Im ( n2 ( Iex2。 图3.7-1表示CdS晶体在1.8 K下的发光光谱。在弱的汞灯激发下，只能观察到自由激子的发光 [A(6]，以及束缚激子的发光I1和I2 线。当使用高强度的脉冲（纳秒）N分子激光激发时，出现新的M线，其强度与激发强度超线性地增长，因此被指认为激子分子发光。注意，图中M线的强度被按比例压缩。 假设激子分子的运动遵从麦克斯韦-玻耳兹曼分布, 其动能可用一Teff 来描述，激子分子的发光光谱可以表示为 (3.7-3) 其中，，A为与( 无关的常数。图3.7-2表示CuCl发光的M带以及用(3.7-3)式拟合的结果。可见(3.7-3)式适合于激子分子发光过程的描述，同时说明激子分子的热分布遵从玻耳兹曼统计。从拟合中得到参数Teff = 26 K, CuCl激子分子的结合能Gm = 30 meV。 激子分子的结合能很低，因此有关激子分子发光的实验必须在低温下进行。 3.7.2电子-空穴液滴的发光 2.2节中已提到，在低温和强的激发强度下，电子和空穴可以进一步凝聚成电子—空穴液滴。在这种激发态，由于组成液滴的导带电子和价带空穴之间存在强关联和交换作用，使得每对电子和空穴的平均能量更低，它们复合发光的特征峰位出现在激子峰的低能方向,可以理解为电子-空穴液滴具有较低的能隙Eg*。 电子(空穴液滴最早是从对Ge发光现象的研究中被发现的。图3.7-3(a)和(b)分别表示在4.2K和1.7K的极低温和强激发条件下, 半导体Ge的发光光谱。其中峰位在714 meV的A线，为声子伴随的自由激子(FE(LA)发光, 在比A线低5 meV的709 meV处的B线，为声子伴随的电子(空穴液滴(EHD(LA)的发光, 位于700 meV的B1线为EHD(TO声子伴随的复合发光, 其峰位比FE(TO同样低大约5 meV。图3.7-3(b)中的FE(LA线消失, 可能由于在更低的温度下，自由激子全部凝结为EHD。而在高能方向出现位于728 meV 的EHD(TA 声子伴线B2峰，它也比FE-TA发光峰低5 meV。这些新的发光峰B、B1、B2出现的条件是 激发密度高于临界密度nc，测量温度低于临界温度Tc。同时，这些发光过程都伴随光电导，因此被认为是电子(空穴液滴的发光，而不是激子或激子分子的发光。 电子-空穴液滴的发光作为一个实体曾经被拍摄下来, 其大小为mm量级。 EHD可以类比为液态金属。可对EHD定义一个功函数(s 和费米能Ef（图3.7-4）。利用金属电子气费米能与电子浓度的关系 , (3.7-4) 可以从电子(空穴液滴的浓度n和电子有效质量m*计算Ef, 计算的Ef再与EHD发光峰宽度进行比较；反过来，从EHD发光峰宽度得到Ef , 利用(3.74)式对电子和空穴的密度进行计算。由Ge和Si一系列的实验，得到n为1010/cm3 到1017 /cm3量级，理论和实验能够较好地符合，说明用液态金属来模拟电子-空穴液滴是合理的。 由高激发密度