一种新颖自偏置带隙基准电压源的设计-湖南工业大学期刊网.PDF

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第 卷第 期 南 工 业 大 学 学 报 24 3 Vol.24 No.3 年 月 2010 5 Journal of Hunan University of Technology May 2010 种新颖自偏置带隙基准电压源的设计 谭传武 陈卫兵 邹豪杰 李长云 (湖南工业大学 计算机与通信学院, 南 株洲 412008 ) 摘 要:基于0.6 m BCD 工艺参数,设计了一种新颖的低温漂、低功耗、高电源抑制比的自偏置带隙基准 电压源。电路仿真结果表明:其工作电源电压低至 ,输出基准电压为 ,温度系数仅 × -6 ℃ 1.7 V 1.24 V 6.68 10 V/ 电流消耗 ,电源抑制比高达 。该电压源可广泛应用于模 数、数 模转换电路和电源管理芯片中。 22 A 82 dB / / 关键词:带隙基准;基准源; P SRR 中图分类号: + 文献标志码: 文章编号: 1673 9833(20 10)03 0063 03 TN79 2 A - - - The Design of A Novel Self-Biased Bandgap Reference Voltage Source , , , Tan Chuanwu Chen Weibing Zou Haoj ie Li Changyun ( , , , ) School of Computer and Communication Hunan University of Technology Zhuzhou Hunan 4 12008 China : Abstract Based on 0.6 m BCD process parameters, a novel self-biased bandgap reference voltage source with low- temperature drift, low power consumption and high PSRR was presented.The simulation results by Hspice showed that the voltage source had the working voltage of 1.7 V, the output reference voltage of 1.24 V, the temperature coefficient of only 6.68 × -6 ℃ 10 V/ , current consumption of 22 A and PSRR as high as 82 dB, which can be widely used in A/D, D/A converting circuit and power management chip. :

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