前瞻晶体硅太阳能电池未来产业化——高效N型背结前接触和背结背.PDF

中国科学: 物理学 力学 天文学 2013 年 第43 卷 第6 期: 708–717 SCIENTIA SINICA Physica, Mechanica Astronomica SCIENCE CHINA PRESS 评 述 前瞻晶体硅太阳能电池未来产业化——高效N 型背 结前接触和背结背接触晶体硅太阳能电池  陈晨, 张巍, 贾锐, 张代生, 邢钊, 金智, 刘新宇 中国科学院微电子研究所太阳能电池研究中心, 北京 100029 *联系人, E-mail: jiarui@ 收稿日期: 2012-10-11; 接受日期: 2013-03-26 国家高技术研究发展计划(编号: 2012AA050304)、国家自然科学基金(批准号:、国家重点基 础研究发展计划(编号: 2009CB939703)和中国科学院基础研究重大项目(编号: Y1YT064001, Y1YF034001, Y2YF014001)资助 摘要 文章综述了N 型背结背接触和背结前接触晶体硅太阳能电池的研究和产业化的最新进展. 从原 理上阐述了 N 型背结背接触电池高效率的原因. 从研究的角度, 综述和点评了国际上几个研究小组在 N 型背结前接触晶体硅电池方面的研究工作. 论述了丝网印刷 Al 烧结法制备 N 型背结背接触电池方面的 研究进展. 关键词 N 型晶体硅, 背结背接触, 背结前接触, 丝网印刷 Al 烧结, 太阳能电池 PACS: 42.79.Ek, 80.60.Jt doi: 10.1360/132012-861 自1954 年 Bell 实验室的 Chapin 等人[1]首次制备 效率面临巨大挑战. 出 Si 基 pn 结太阳能电池至今, 晶体硅太阳能电池已 截至目前, 世界上量产转化效率超过 20% 的电 经经过了半个多世纪的发展. 截至目前, 已经商业化 池有两种, 均制备在磷(P)掺杂的 N 型单晶硅衬底上. 的常规晶体硅太阳能电池大都是制备在硼(B)掺杂的 2010 年, 美国 Sunpower 公司的Cousins 等人[3]成功实 P 型晶体硅衬底上. 其中, 单晶硅 P 型电池具有 现了面积为 125 mm×125 mm 的 N 型背结背接触 17%–18%的光电转化效率[2], 是目前商业化的硅基 (Back-junction Back-contact)单晶硅太阳能电池的量 电池中转化效率最高的. 近年来, 一些新技术如: 选 产, 其转化效率高达 24.2%. 这成为了目前世界上量 区发射(Selected Emitter)技术, 超小绒面(Nano-scale 产效率最高的晶体硅电池结构之一. 另一种 N 型电 Texturing) 技术等可将此类电池的转化效率提高到 池是日本 Panasonic 公司的 HIT (Hetero-junction 19%左右. 然而, 遗憾的是传统的 P 型晶体硅电池的 Intrinsic Thin-film) 电池[4], 量产转化效率为 23%. 展 转化效率很难推进到 20% 以上, 进一步提高其转化 望未来, 转化效率超过 20% 的 N 型晶体硅电池已成 引用格式: 陈晨, 张巍, 贾锐, 等. 前瞻晶体硅太阳能电池未来产业化——高效 N 型背结前接触和背结背接触晶体硅太阳能电池.