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异质结双极型晶体管 HBT 的高频特性 - 硬件和射频工程师
第十四讲——异质结双极型晶体管
l HBT 的高频特性 (13 讲的继续)
小信号线性等效电路
高频极限——ωT,ωmax,ωV
l HBT 的数字应用
基本HBT 逻辑系列
l HBT 的线性电路数字应用
例子:Vitesse VIP- 1 InP HBT
HFET伏安特性——HEMT和HIGFET
如以前一样,我们把y 点的漏极电流写作:
我们已经确定了Nch(y) ,可将低到中场区的平均净载流子速度写作:
由上两式得:
将上式对y从0到L积分,或者等效地,对VCS从0到VDS 积分,结果在下一页中给出
HFET伏安特性——HEMT和HIGFET (续)
积分的结果为:
这个表达式在VDS(VGS -VT ) 的情况下成立,当VDS(VGS -VT ) 时,iD饱和,其值为:
这些表达式应该与MOSFET 的相似。它们与通常使用的MOSFET 的表达式完全相同。
最后,饱和时候的小信号跨导gm 为:
HFET伏安特性——HEMT和HIGFET (续)
我们最后关心这些器件的高频特性。一个较好的方法是研究ωT,我们将其写作:
我们还没有确定Cgs ,但我们事实上已经对其有了了解,因为这些器件的Cgs与MOSFET
的相同:
由此式得:
(无速度饱和)
HFET伏安特性——HEMT和HIGFET ,速度饱和
当存在严重的速度饱和时,我们有S(y)=Ssat ,并记作:
现在我们可以计算得到小信号跨导为:
(速度饱和)
这些表达式应该与MOSFET 的相似。它们与通常使用的MOSFET 的表达式完全相同。
最后,饱和时候的栅源电容Cgs就是栅极电容WLWBG /tWBG ,所以:
(速度饱和)
高频特性度量:ωT,ωmax
我们引入ωT,定义为短路电流增益为整时的频率,表示为:
ωT是高速开关特性的一个很好的度量量,但对于微波应用,更好的度量量是ωmax,源
和负载阻抗匹配时的整功率增益。我们发现这个频率可粗略地由下式给出:
后一个度量量显示了在FET微波放大器应用中减小栅极电阻Rg,和栅-漏电容Cgd 的重要
性。
注意:在讨论HBT 时,我们会引入第三个高频特性度量量ωV
线性等效电路(lec )模型——HBT
除了输入电阻是有限值,和符号不同外,正向工作区偏置BJT 的线性等效电路与FET 的
相同:
用BJT 大信 号模型来求这个模型
中的参量,得到如下表达式:
HBT lec模型——高频模型
为了将这个模型推广到高频区,我们引入小信号线性电容来表示存储在栅极的电荷:
我们得到:
HBT 本征高频特性度量——ωT
像我们研究FET 是那样,晶体管高频特性的测量是通过计算其短路电流增益βs c(j ω) ,
和确定其大小为1时的频率而得到的。
所以:
高频特性度量:ωT,ωmax,ωV
对一个BJT ,我们有ωT,对其用偏置点来表示,并求IC很大时的极限:
我们对FET得到了一个相似的结果,即ωT近似等于穿过器件工作部分的通过时间的倒
数。在我们关于BJT 的简单模型中,这里出现的通过时间是穿过基极的通过时间,但是事实
上,我们发现它其实是从发射极到集电极的通过时间,包括了穿过发射极-基极和基极-集电
极耗尽区的时间:
高频特性度量:ωT,ωmax,ωV
正如对FET来说,ωT是高速开关特性的一个很好的度量量,但对于微波应用,更好的
度量量是ωmax,即源和负载阻抗匹配时的整功率增益。对于BJT ,我们发现ωmax可粗略地由
下式给出:
这个度量量显示了在HBT 微波放大器应用中减小基极串联电阻Rg,和基极-集电极电
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