2.2单极型半导体三极管.pptVIP

* 2.2 单极型半导体三极管 场效应管 FET (Field Effect Transistor) 类型 结型 JFET (Junction Field Effect Transistor) 绝缘栅型 IGFET (Insulated Gate FET) 特点： 1. 单极性器件(一种载流子导电) 3. 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低 2. 输入电阻高(107 ? 1015 ?，IGFET可高达1015 ?) 一、增强型N沟道MOSFET (Mental Oxide Semi— FET) 2.2.1 MOS场效应管 1. 结构与符号 P型衬底 （掺杂浓度低） N+ N+ 用扩散的方法 制作两个 N 区 在硅片表面生一层薄SiO2绝缘层 S D 用金属铝引出 源极S和漏极D G 在绝缘层上喷金属铝引出栅极G B 耗尽层 S — 源极 Source G — 栅极 Gate D — 漏极 Drain S G D B 第二章 半导体三极管 2. 工作原理 1) uGS 对导电沟道的影响 (uDS = 0) 反型层 (沟道) a. 当 0 UGS UGS(th) (开启电压)时无沟道 b. 当 uGS UGS(th) 时，衬底中电子 被吸引到表面，形成导电沟道 uGS 越大，沟道越厚 2) uDS对 i