浅沟槽隔离STI刻蚀工艺条件研究.pdf

目录 摘要……………………………………………………………．1 第一章研究背景…………………………………………………．．3 1．1半导体产业的发展概况………………………………………．．3 第二章干法刻蚀工艺介绍……………………………………………7 2．1集成电路工艺流程简介………………………………………．．7 2．2干法刻蚀的目的和方法………………………………………．16 2．3干法刻蚀的特点……………………………………………．16 2．5干法刻蚀的相关参数…………………………………………18 2．6干法刻蚀的反应式…………………………………………．．18 2．7干法刻蚀的方式……………………………………………．19 2．8干刻刻蚀缺陷种类与改善……………………………………．．22 第三章STI刻蚀工艺简介…………………………………………．．29 3．3浅沟槽隔离刻蚀步骤…………………………………………30 3．4隔离技术的关键工艺…………………………………………31 第四章STI刻蚀工艺条件开发过程……………………………………35 4．1原理……………………………………………………．35 4．2原料和设备………………………………………………．35 4．3原始工艺条件……………………………………………．．35 4．4基础数据的采集……………………………………………36 4．5实验结果的改善方向………………………………………．．38 4．6实验片刻蚀的结果…………………………………………．39 4．7实验结果扩展……………………………………………．．41 4．8产品结果…………………………………………………43 第五章结论……………………………………………………．．44 致谢……………………………………………………………45 摘要 浅沟隔离是目前大规模集成电路制造中用于器件隔离的主要方法。 了O．18微米浅沟槽隔离技术(STI)中的刻蚀工艺。 本文通过对各种工艺参数的选择，解决了浅沟槽隔离(STI)刻蚀深度，刻蚀 角度以及刻蚀均一性问题。本文通过改变刻蚀速率来控制浅沟槽隔离(STI)的刻 蚀深度并通过增加O：的含量解决了刻蚀角度过于垂直的问题。 本文在解决和优化浅沟道隔离的工艺难点后，获得的隔离结构的性能完全达 到了0．18um逻辑器件技术大规模量产的要求。 关键词：浅沟槽隔离，集成电路，硅，刻蚀。 中图分类号：rn蚪 Abstract isusedincurrent STI circuit to integrated manufacturingprocesses achievedeviceisolation．ThisthesisdiscussestheProcessmodelsofDrv EtchofO．18um Scale circuit the Large Integratedmanufacture，andeffect ofProcess inSTIProcess． parameter Basedonthechoiceofa of toaddressthe varietyprocessparameters STIetch and the oftheissueof depth， etchingperspective uniformity． Inthisthesi the ratetocontrolthe