集成电路期末复习.ppt

集成电路制造技术 微 电 子 工 艺;重点单元;第一单元; 1.1 硅晶体结构的特点;硅作为电子材料的优点;1.2 硅晶体缺陷;;2.2 单晶硅生长;三、硅片制备;;3.1 概述3.1.1外延概念 ;3.1.2 外延工艺种类 ;同质外延又称为均匀外延，是外延层与衬底材料相同的外延。 异质外延也称为非均匀外延，外延层与衬底材料不相同，甚至物理结构也与衬底完全不同。GaAs/Si 、SOI（SOS）等材料就可通过异质外延工艺获得。;3.1.3 外延工艺用途;;;;;第二单元;4.1.2二氧化硅的理化性质及用途;0.8 nm栅氧化层;;SiO2掩蔽层厚度的确定;4.2硅的热氧化;热氧化方法;工艺;4.2.2 热氧化机理;4.2.4 热氧化生长速率;两种极限情况 ;卤族元素掺入对氧化速率影响;4.4热氧化过程中杂质的再分布;;第5章 扩散;5.1 扩散机构;固相扩散工艺;5.3杂质的扩散掺杂;恒定表面源扩散;恒定表面源扩散;有限表面源扩散 ;;有限表面源扩散;有限源扩散杂质浓度是一种高斯函数分布。 延长扩散时间(提高扩散温度T )： ①杂质表面浓度迅速减小；②杂质总量不变； ③结深增加； ④杂质浓度梯度减小。 ;;什么是离子注入 离化后的原子在强电场的加速作用下，注射进入靶材料的表层，以改变这种材料表层的物理或化学性质 ;离子注入特点;离子注入特点;R：射程（range） 离子在靶内的总路线长度 Xp：投影射程（projected range） R在入射方向上的投影;?Rp：标准偏差（Straggling），投影射程的平均偏差 ?R?：横向标准偏差（Traverse straggling）, 垂直于入射方向平面上的标准偏差。;LSS理论——对在非晶靶中注入离子的射程分布的研究;核碰撞：能量为E的一个注入离子与靶原子核碰撞，离子能量转移到原子核上，结果将使离子改变运动方向，而靶原子核可能离开原位，成为间隙原子核，或只是能量增加。;核阻止本领;能量损失率与离子能量的关系;电子碰撞;-dE/dx：能量损失梯度 E：注入离子在其运动路程上任一点x处的能量 Sn(E)：核阻止本领 Se(E)：电子阻止本领 N: 靶原子密度 ～5?1022 cm-3 for Si;低能区;表面处晶格损伤较小;在某一高温下保持一段时间，使杂质通过扩散进入替位，有电活性；并使晶体损伤区域“外延生长”为晶体，恢复或部分恢复硅的迁移率，少子寿命。 退火效果(q/NA,μ,τ)，与温度，时间有关。一般温度越高、时间越长退火效果越好。 退火后出现靶的杂质再分布。;退火条件、方法;第三单元;7.1 CVD概述 ;7.2 CVD工艺原理;薄膜生长的步骤;CVD 传输和反应步骤图;Y一定时， G 由hg和ks中较小者决定 1、如果hgks，则Cs≈Cg-----表面化学反应速率控制过程，有; 2、如果hgks，则CS≈0----质量传输速率控制过程， 有 质量输运控制，对温度不敏感;台阶覆盖（保形性）;;8.3.2蒸镀设备主要采用的加热器类型及性能 ; 电阻加热器;高频感应蒸发;电子束(EB)加热;电子束加热器;激光蒸镀;蒸发源;;8.4 溅射;溅射过程建立在辉光放电的基础上； 微电子工艺中的溅射，是指利用气体辉光放电时，离子对阴极轰击，使阴极物质飞溅出来淀积到基片上形成薄膜的工艺方法。;8.4.1 工艺机理;;+;入射离子溅射分析;第四单元; ;; ; ; ; ; ; ; ; ;目前电子束直写可实现0.36um线宽; ; ; ; ; ; ; ; ; ;; ; ; ; ; ; ;;12.1.4 铜多层互连系统工艺流程 ;双大马士革法铜布线;2：Si3N4 刻蚀阻挡层淀积 ;3：确定通孔图形和阻挡层 ;4：淀积保留介质的 SiO2 ;5：确定互连图形 ;6：刻蚀互连槽和通孔 ;7：淀积阻挡金属层 ;8：淀积铜种子层 ;9：淀积铜填充 ;10：用CMP清除额外的铜 ;;12.2.7 CMOS电路工艺流程;12.2.7 CMOS电路工艺流程;12.2.7 CMOS电路工艺流程