ZnSe薄膜用作太阳电池窗口层及其简介.pptxVIP

ZnSe薄膜用作太阳电池窗口层及其简介;;? ZnSe是Ⅱ-Ⅵ族直接带隙宽禁带半导体，室温下为闪锌矿结构，高温下为六方纤锌矿结构。禁带宽度为2.7eV,具有较宽的透光范围(0.5-22μm），较高的发光效率和较低的吸收系数，可以允许更多的光透过而不被吸收。ZnSe在湿空气中易被氧化。 ZnSe比CdS窗口层具有更大的优点,它不含Cd,能减少对环境的污染, 而且ZnSe的禁带宽度比CdS( 2 4eV) 大, 使得能量比CdS禁带宽度大的光子仍然可以通过,有利于提高太阳能电池的光电性能。;ZnSe薄膜的制备技术;ZnSe能带结构图：;ZnSe可单独用作太阳电池窗口层,也可与其他材料堆叠形成复合窗口层,或者在ZnSe中进行元素掺杂;相关文献报导;ZnSe在不同衬底温度下的禁带宽度;;不同Al含量的ZnSe薄膜的禁带宽度;二、;不同溅射功率下沉积的ZnSe薄膜的SEM图: A: 60w; B:80w; C:90w; D:100w;;三、通常制备所得的ZnSe薄膜表面粗糙度较高，且晶粒??寸较小，在后续生长CdTe吸收层后，会导致与CdTe层较差的匹配，从而影响器件的性能。对制备的ZnSe薄膜进行退火处理，退火过程中ZnSe发生重结晶过程，优化晶体结构，提升薄膜结晶性。 以下简述采用化学浴沉积法制备的ZnSe在空气中不同温度下退火后的结果;不同退火温度下ZnSe薄膜的SEM图;不同退火温度下ZnSe薄膜的光透过和光能隙;脉冲激光沉积法制备ZnSe薄膜; 从上世纪90年代初，人们就开始用PLD的方法外延生长ZnSe纳米材料，并取得了较大的成功。 由于ZnSe的熔点高达1520℃，并且在熔化时需要很大的蒸汽压，因此从熔体中很难直接得到ZnSe单晶。用脉冲激光烧蚀的方法，可以从ZnSe靶材中溅射出充分解析成为原子、离子状态的等离子体，沉积得到znSe单晶。 之前有相关文献用脉冲激光沉积研究了在不同的N2背景压强下，在光滑的GaAs衬底上沉积ZnSe纳米薄膜，并表征不同的背景气体压强对ZnSe薄膜的形貌和晶体结构的影响。但是掺N的ZnSe薄膜并没有像预期的那样：实现P型导电对ZnSe薄膜进行退火实验，同样没有改变ZnSe薄膜的导电性能。关于掺杂N对ZnSe薄膜导电性能的影响，还需要做更多的探索。 ;