材料表面工程-CH-4-1-溅射蒸镀.pdfVIP

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材料表面工程-CH-4-1-溅射蒸镀.pdf

濺射 (鍍) SPUTTERING 張銀祐 2007/11 1 2 3 Sputtering原理 濺鍍的基本原理是 將加速了的 離子轟擊固體表面,離子在和 固體表面的原子交換動量之 後,就會從固體表面濺出原 子,此現象為濺射 (Sputtering) 。濺射是真空鍍膜 方法之一。通常陰極(cathode) 上裝載的是靶材(target) ,而偏 壓極 (bias)上裝載的則是待鍍 物試片基板或碟片( ) 。 為使於濺鍍氣體(sputtering ~1mTorr gas)中電漿 (plasma)能夠點 燃,將陰極加到數百伏特電 壓。陰極所加的電壓相對於陽 極而言是負的,因而游離的氬 正離子被加速往陰極表面飛 去。當氬正離子與靶材表面發 生碰撞時,靶材表面原子被撞 擊出而飛向置於偏壓極 (bias) 的基板並鍍在基板表面。 4 5 濺射 --電漿粒子與表面之作用 6 不同結晶面之sputter yield濺射產 率不同 7 8 粒子動能比較 ~數十-數百電子伏特eV 離子植入 9 10 11 磁控濺射 圓形( ) 12 13 14 磁控濺射 (矩型)

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