半导体材料(张源涛)5-5.pdfVIP

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第5 章硅外延生长 第5 章硅外延生长 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 第5章 硅外延生长 第5章 硅外延生长 5-1、外延生长概述 5-2、硅的气相外延生长 5-3、硅外延层电阻率的控制 5-4、硅外延层的缺陷 5-5、硅的异质外延 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 什么是SOI? SOS? SOI (Semiconductor/Silicon On Insulator ) 称绝缘层上硅,是一种新型结构的硅材料 在体硅中加入绝缘层,绝缘层上生长硅单晶层 有望替代体硅而成为新一代的集成电路衬底材料 SOS (Silicon On Sapphire/Spinel ) 蓝宝石( α-Al O )或尖晶石(MgO·Al O )衬底上外延 2 3 2 3 生长硅 是SOI材料中的一种,蓝宝石和尖晶石是良好的绝 缘体 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 为什么用SOI ? 体硅的问题: 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 为什么用SOI ? 体硅的问题: 超大规模集成电路取得快速发展的动力主要源于不断减小 的器件尺寸和不断增加的芯片面积,当特征尺寸减小到 100nm以下时会出现以下一系列问题: 器件尺寸减小,导致热载流子效应,工作电源电压必须降 低。为了保证电路性能,阈值电压应随之降低,导致关态 漏电流的迅速增加。 体硅中的寄生可控硅闩锁效应。 由于特征尺寸减小,电源电压降低导致软失效问题,降低 了电路的抗干扰能力。 集成度的提高,导致电路功耗密度提高,由此引发的功耗 热耗问题亟待解决。 器件间隔离区占芯片面积比例增大,寄生电容增大。 …… 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 为什么用SOI ? SOI的技术优势: 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 为什么用SOI

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