半导体物理学（张宝林）半导体物理习题课-第三章.pptVIP

李贤斌 lixianbin@jlu.edu.cn 半物习题课―第三章 3.1 在硅中，导带极小值附近的电子能量可以写成: 式中m2m1 (1)分别画出能量E随着kx和kz变化的示意图; (2)画出k空间等能面的示意图(要求分别画出等能面与kx-ky平面以及kx-kz平面的交线). 解： (1)分别令ky、kz和kx、ky为常数不变，则E~kx与E~kz的关系如下图抛物线所示： 因为m2m1,所以E~kz的抛物线开口更大。 (2)设E(k)为固定值E0， 分别令kz=0, ky=0则得到以下①和②两个式子： ② ① 由以上两个式子，可得等能面与kx-ky平面以及kx-kz平面的交线如下图所示： 0 kx ky 半径为 的圆 kz kx 长轴位于kz,短轴位于kx的椭圆，因为m2m1 3.2设晶格常数为a的一维晶体，导带极小值附近的能量EC(k)为： 价带极大值附近的能量Ev(k)为： 式中m为电子质量， ，a=3.14?。试求： (1)禁带宽度； (2)导带底电子的有效质量； (3)价带顶空穴的有效质量。 解： (1)禁带宽度Eg=导带极小值ECmin-价带极大值EVmax,因此要先求出ECmin、EVmax 令： 得到： 所以有： 令： 得到： 所以有： 于是： (2)按照电子有效质量的定义： 又： 所以，导带底电子的有效质量为： (3)按照空穴有效质量的定义： 3.3 证明：能量为 的电子，在磁场 中的回旋频率为 . 证明: 电子的有效质量为： 设电子垂直于磁场 的速度为 ，回旋频率为 ，半径为r，则电子的 线加速度为： 所以有： 3.7在一维情况下,(1)利用周期性条件证明：表示独立状态的k值数目等于晶体的晶 胞数；(2)设电子的能量为 ,并考虑到电子的自旋可以有两种不同的取向. 试证明在单位长度的晶体中单位能量间隔的状态数为: 解： (1)周期性边界条件： 以晶体的边长为周期，设晶体边长为L，晶格周期为a，电子波函数为 根据布洛赫定理： ，且 根据边界条件： ，即： 设晶体的原胞数为N个：则L=Na 所以有： ， ， 其中n为整数 独立的k值可限制在一个布里渊区中，因此： 即： ， 因此n的取值只能有N个，即独立的k值为N个. (2)我们知道一个倒原胞体积内有N个独立状态,考虑自旋,应为2N个独立状态，因此一维空间中单位长度上的状态数为： ， 又知： 因此在能量E E+dE范围，长度为dk内的状态数为： 所以有： 因此单位长度晶体中，单位能量间隔的状态数为： 3.9 设硅晶体中电子的纵向有效质量为ml，横向有效质量为mt, (1)如果外加电场沿[100]方向，试分别写出在[100]和[001]方向能谷中电子的加速度； (2)如果外加电场沿[110]方向，试求出[100]方向能谷中电子的加速度与电场之间的夹角。 解： [100] y [010] z [001] (1)在[100]能谷中, x , 所以有： 即，加速度大小为 ，方向为 方向； 同理在[001]能谷中， 所以有： 即，加速度大小为 ，方向为 方向. (2)当电场为[110]方向时，设： 即， 则[100]能谷中各电子： 所以有： 于是： 又： 因为硅中,ml=0.98m、mt=0.19m, 所以经计算得θ=146° . 半物习题课―第四章 4.2 T = 40K 时该掺杂半导体处于杂质弱电离区，因此有： 已知： 电离能： 4.3 室温下硼杂质处于饱和电离区，而且 , 本征激发可以忽略。 空穴浓度： 电子浓度： （1） （2） 4.4 室温下认为锗中施主已经饱和电离，但是 所以，本征激发不可以忽略！ 所以，求关于空穴浓度 的一元二次方程，取有意义解即可。 空穴浓度： 电子浓度： 4.6 工作温度的上限要确保，高温导致的本征激发载流子仍然占少数， 这要求： (1) 硅中掺入 的砷原子， 符合条件，保证本征载流子占少数。 (2) 锗中掺入 的锑原子， 不符合条件，本征载流子已经多于施主提供的载流子。 4.7 施、受主杂质均饱和电离， 施主首先补偿受主，补偿后提供的电子浓度为：