电子功能材料作业总结-复习笔记.pdfVIP

一、名词解释（每个 3 分，共 21 分） 1. Cooper(库伯) 电子对 2. 应变超晶格 3. 铁电畴 4. 接触电势 5. 限界电流 6.光伏效应 7 压阻效应 二、简答题（每题 6 分，共 18 分） 1．说明丹尼尔斯模型的要点及其解释了哪些PTC 效应实验现象。 2. 说明电阻型湿敏器件感湿特性曲线的特点 3. 以PbS 为例说明多晶材料光敏器件的工作原理 三、用二维晶体模型说明普通金属材料由滑移而造成的永久变形和形状记 忆合金的马氏体相变所引起的可逆变形这二者的差别。（10 分） 四、采用掺Al O 的办法可以改变ZnO(N 型) 的电导率，请以缺陷Vo 占优 2 3 为例，并假设缺陷全电离，推导 ZnO 电导率和掺杂量的关系。（12 分） 五、分析说明表面电导型气敏材料检测氢气的原理。（10 分） 六、画出马赫-泽得光纤温度传感器结构示意图，并说明其检测温度的工作 原理。（10 分） 七、如图所示的晶体，分别沿 x,y,z 方向施加作用后是否会产生压电效应， 并说明原因。（9 分） 八 画出硅磁敏二极管（P+——N+ ）的基本结构并说明其工作原理。（10 分） 1. 组分（掺杂）超晶格:  超晶格定义：超晶格材料是由两种或两种以上性质不同的薄膜相互交替生长而形 成的多层结构的晶体。  组分超晶格:超晶格材料的一个重复单元由两种不同材料组成，其电子亲和势、 禁带宽度均不相同。  掺杂超晶格：若在同一半导体材料中，用交替改变掺杂类型的方法形成的超晶格 称为掺杂超晶格  应变超晶格：通过弹性应变调节两种材料的晶格失配来消除界面缺陷而形成的超 晶格。  2.压电效应:当对某些晶体在特定方向上施加力时，在与施力方向垂直的平面上出 现正负束缚电荷，这种现象称为压电效应。  3.逆压电效应:当某些晶体在外电场激励下，会使晶体在某些方向上产生形变(谐 振)现象，且形变大小与外电场大小成线性关系，这种由电效应转换为机械效应 的过程称为逆压电效应  4.正压电效应:当晶体受到机械力作用时，在一定方向的表面上产生束缚电荷，电 荷密度的大小与所加应力大小成线性关系，这种由机械效应转换为电效应的过程 称为正压电效应。  5.热释电效应：晶体由于温度作用而产生极化的现象。  6.铁电畴：铁电体并不是在一个方向上单一自发极化，而是在许多小区域内自发 极化并且有不同极化方向，极化方向相同的小区域称铁电畴。  7.接触（温差）电势:当两种导体AB 连接时，在接触处会产生电子扩散，设A 比 B 中电子浓度大，那么单位时间内，由A 到B 的电子数比B 到A 的电子多，此时 A 端正电，B 端负电，从而产生电势差。  8.迈斯纳效应  : （完全抗磁性）处在超导状态时，超导体内部磁感应强度为零， 如果把超导样品放置到磁场中，然后冷却到临界温度 Tc 以下，原来在样品内的 磁通就要从样品被排出，这种现象叫迈斯纳效应。  9.物理磁阻效应：将通电的半导体置于均匀磁场中，运动的载流子由于受到洛伦 兹力的作用，而发生偏转，从而使电流通过的距离变长，载流子受到的散射几率 增大，迁移率下降，导致沿外电场方向电流密度减小，电阻率增加。  10.几何磁阻效应：在相同磁场作用下，由于半导体样片几何形状的不同而出现 电阻值不同变化的现象称为几何磁阻效应。  11.取向极化:这是极性电介质的一种极化方式，组成电介质的极性分子在电场作 用下，除贡献电子极化和离子极化外，其因有偶极矩将沿外电场方向有序化，各 固有偶极矩的矢量和不再为零。  12.离子位移极化  ：离子晶体在电场作用下离子间的键合被拉长，碱金属卤化物 属此种情况，当加上电场时，离子键将会发生微小变形，导致电偶极矩的增加。  13.内光电效应:入射光子被半导体吸收后产生电子或空穴等光生载流子参与导电， 从而引起半导体的电性质发生变化，这种现象称为内光电效应，它又可分为光电 导效应和光伏特效应。  14.光电导效应：高阻半导体受光照射时，由于产生光生载流子，而使半导体的电 阻率减小，电导增大，这一现象称为光电导效应。  15.光伏特效应：光照射半导体 PN 结时，会在PN