↑↑≤单片微波集成电路的原理及应用.PDF

ç îò ç 5 国外电子元器件6 íêêí 年第 ó 期 íêêí 年 ó 月 p 新特器件应用 ©£ 单片微波集成电路的原理及应用 济南市 óíñïï 部队 司朝良 The Princi le and A licatio n of M MIC p pp …£ »£œÃ…£Œ« 摘要ö 介绍了 ©£ 单片微波集成电路的特点和分类å分析了其内部电路原理å列举了几种常用的 ©£ 的性能指标å给出了典型应用电路å最后就使用中的问题提出了几点建议 关键词ö ©£ õ 放大器õ 自排列晶体管õ 微波电路 分类号ö¥Æóíí éë ã ñ 文献标识码ö¢ 文章编号öëêêñ ç ñôóóà íêêíâ êó ç êêîò ç êí ©£ 单片微波集成电路 à œŒœÃ…‘»… …“œ£÷ 等å其典型内部电路如图ë 所示õ而 © Ø ° ¥ 类 ©£ ©Œ‘«“£‘ƒ £ …“’…‘â å 有时也称 ¶©£ à £ƒ…œ ¶“—’ŒŸ 放大器则主要有 ® 公司的©Æ° 系列å 其典型的内 ©Œ‘«“£‘ƒ £…“’…‘ ç 射频集成电路â å它是随着半导体 部电路如图í 所示 制造技术的发展å 特别是离子掺入控制水平的提高 由图ë 可见å° ¥ 类 ©£ 放大器由两只晶体管 和晶体管自我排列工艺的成熟而出现的一类高频放 ± ë ! ± í 组成带有反馈的达林顿式连接å 其中 ¶ ! • 大器件 在这类器件中å 作为反馈和直流偏置元件 分别为电压并联负反馈电阻和电流串联负反馈电 的各个电阻器都采用具有高频特性的薄膜电阻å 并 阻å用于提高电路的稳定性图í 是一种多级连接的 且与各有源器件一起封装在一个芯片上å 这使得各 放大器电路å其初级的 ± ë 由电阻 ¶ ë 来提供很小的 零件之间几乎无连线å从而使电路的感抗降至最低å 反馈以保证尽可能低的噪声和最大的增益å 而末级 且分布电容也极小å 因而可用在工作频率和频宽都 达林顿电路则工作在深度负反馈状态å 从而保证了 很高的 ©£ 放大器中 目前å ©£ 的工作频率已 放大器的匹配 !增益和频响特性 该电路的前 !后级 可做到îê ß ®⁄ å频宽也已达到 ëï ß ®⁄ å因而可广泛应 之间采用直接耦合å可保证其低频性能 ©Ø ° ¥ 类 用于通信和 ß 等各类设备的射频 ! 中频和本振电 ©£ 以其高增益 ! 低噪声等性能使其在 ¨Æ°à低噪 路中 声放大器â 和 ©¶ 领域内有着越来越广泛的应用 根据制作材料和内部电路结构的不同å ©£ 可以分成两大类ö一类是基于硅晶体管的 ©£ å另 一类是基于砷化镓场效应管à ߣ°” ¶• ¥â 的 ©£ ߣ°” ¶• ¥ 类的 ©£ 具有工作频率高 !频率范围宽! 动态范围大 ! 噪声低的特点å但价格昂贵å因此应用 场合较少õ 而硅晶体管的 ©£ 性能优越 ! 使用方 便å而且价格低廉å因而应用非常广泛å本文主要介 图ë ° ¥ 类 ©£ 的内部电路 绍硅晶体管 ©£ 放大器的主要性能和使用技巧 ë ©£ 的内部电路 根据生产工艺的不同å 基于硅晶体管的 ©£ 放大器可分为两类å 即采用晶体管自排列 à ° ¥â 工 艺的 ° ¥ 类 ©£ 和采用分离的晶体管自排列 à © Ø ° ¥â 工艺的© Ø ° ¥ 类 ©£ å两者的内部电路 有所不同常用的 ° ¥ 类 ©£ 放大