MLCC知识及其特性.ppt

MLCC的一般电性能 * Ｒ＝Ｕ／Ｉ 由上可知， 电容器的绝缘电阻等于表面绝缘电阻与体内绝缘 电阻相并联而成。因此，电容器的绝缘电阻除了同其本身所固所 介质特性外，同外界环境温度、湿度等有很大的关系。 温度对绝缘电阻的影响主要表现在温度升高时，瓷介的自由 离子增多，漏电流急剧增加，介质绝缘电阻迅速降低。但防潮 不好的小容量电容器表面漏电流较大，随着温度的升高，表面潮 气蒸发， 表面绝缘电阻上升。 湿度对电容器电性能影响最大，会因表面吸潮使表面绝缘电 阻下降。 MLCC的一般电性能 损耗（ＤＦ）和品质因数（Q） 在外加电压作用下，单位时间内因发热而消耗的能量，叫 电容器的损耗。理想的电容器把从电源中得到的能量，全部贮 存在电容器有介质中，不发生任何形式的能量消耗， 事实上电 容器在外加电压的作用下是要消耗能量的，介质漏电流，缓慢 极化（电偶极矩在电场作用下发生偏转），内外电极金属部位 的等效电阻都会消耗一部分能量，形成电容器的损耗。过高的电 容器损耗会产生热量使电容器温度升高，造成电路工作状态不稳 定，加速电容器的老化。 *  MLCC的一般电性能 电容器的好坏并不能单以电容器的消耗能量的多少来定论， 因此，一般用电容器的损耗角正切来表示。 电容器的损耗角正 切是指在一定频率的正弦电压作用下， 消耗在电阻上的有功功 率和贮存在电容器中的无功功率的比值。故而，其是一个无单位 的量。即： 介质损耗同电容量一样，在实际使用中同温度、工作频率、电容 器两端所加的电压有很大的关系。 * MLCC的一般电性能 * MLCC的一般电性能 电容器的品质因素（Q）和等效串联电阻 ESR： 在高频电路中，由于频率较高，电容器所测量出来的介质损耗已经很小,不便于参考。为了更好地了解它的高频特性，我们更关心的是它的品质因素Q值和在高频下所表现出来的等效串联电阻ESR. Q值就是介质损耗DF的倒数。即：Q = 1/DF。随着目前信号使用频率的增高、功率的增加，高 Q 和超高 Q 的产品需求越来越多。同样，Q 值同ESR有着直接的关系，一般高Q具备低ESR的特性。 在电容中所有损耗的总合叫做电容的等效串联电阻ESR，一般它用毫欧姆来表示。ESR的损耗由介质损耗(Rsd)和金属损耗(Rsm)两部分组成。 ESR = Rsd + Rsm 金属损耗（ Rsm）则取决于电容构造中所有金属性物质的传导特性。这包括内电极，端电极等. * MLCC的一般电性能 我们以一个容量值为22 pF的电容器所测得几组数据为例.由 下表可知，介质损耗在低频率下是主要的，而在高频时则很小， 金属损耗则与之相反。当频率越高时，金属损耗就表现出”趋肤 效应”。 * MLCC的一般电性能 下表是几个产品容量段的Q值 因此,在设计时，高频下我们应考虑 ESR 和 Q 值对电路设计的影响；低频下应考虑损耗(DF)对电路设计的影响。 * MLCC的一般电性能 耐电压（DWV） 电容器的耐电压性能就是指电容器的陶瓷介质在工作状态中 能够承受的最大电压，即击穿电压，也就是电容器的极限电压。 电容器的标称电压即电容器的工作电压，标称电压一般是相对 于直流来说的。而电容器的耐电压常规也是相对直流来说的。 一般来说，电容器的标称电压远远低于其瓷介的耐电压。因 为，在实际的工作过程中，电容器除了两端时时要承受的直流电 压外，另外常有脉冲交流电压存在，而这个交流电压的峰值常 常远远高出工作过程中的直流电压。 * 电容器的性能测试 电容器性能参数的测试: * 可靠性试验及失效的基本分析 片式电容的电性能测试之后，还有一项十分重要的工作就是片式电容的可靠性试验。 * 可靠性试验及失效的基本分析 * 失效的基本分析 片容失效一般是由介质击穿、内电极银离子的迁移、端电极 中玻璃料对与之接触的相应部分的浸蚀造成的失效。 １、介质击穿 介质击穿主要是在较高的电流冲击下，使介质体内的漏电流 剧增，以使介质没办法承受而被击穿的过程。电击穿场强是反 映固体介质承受电场作用能力的一种度量，是材料的特性常数 之一，所以通常又称之为介质的耐电强度（耐电性能）。 ２、银离子的迁移 在高温、高湿、强直流电场作用下，银离子容易迁移，时 间一长，易造成电容器失效。 可靠性试验及失效的基本分析 * 3、端头失效 由于端电极材料在烧结的时候，部分渗入相应部位的陶 瓷介质中，使与之接触的那部分陶瓷体变得更脆，甚至改 性了。因此，在焊接的过程中或在线路板装卸的过程中， 端头部分易产生裂纹，使电容器失效。目前世界新研究开 发