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硅基发光材料的光致发光和电致发光分析
P五59D8D
硅基发光材料的光致发光和电致发光研究 摘要
摘 要
本论文采用射频磁控溅射方法制备了Si—Si02薄膜、Ge．Si02薄膜以及相应
电致发光(EL)谱，采用XPS、XRD、FTIR对薄膜的结构和组分进行了表征。
近的发光几乎没有，其余的发光峰位与Oe—Si02薄膜发光峰位对应，但掺Al的
薄膜的发光强度均比未掺Al的强。所有样品的EL谱在正向偏压大于6V时均只
有一个位于510nm的峰位。牟
结合PLE谱和薄膜结构以及退火对发光峰位影响方面的分析，认为光发射
均是通过薄膜基质中的发光中心实现的，有的发光也与类似纳米颗粒的原子团簇
有关。从对应的发光中心的激发能角度解释光致发光和电致发光的差异。掺A1
的薄膜样品发光比其他未掺Al样品均强，而发光峰位没有明显变化，一方面说
明掺入适量的金属(如A1)可以提高其发光强度，另一方面说明Al的掺入没有
改变薄膜中的发光中心结构；掺Al的电致发光样品的启动电压降低，为硅基发
光材料走向实用化提供了一条有效的途径。
关键词 射频磁控溅射：光致发光iq擞35
5发光中心i重原子效应
作 者：叶春暖
指导教师：姚伟国
吴雪梅
of andelectroluminescencefromsilicon-basedmaterialsAbstract
photoluminescence lighting
Study
of and
Studyphotoluminescence
fromsilicon-basedmaterials
lighting
Abstract
The ofluminescencefrom
properties
mechanismsemissionhavebeenstudied．Films
thinfilmsandthe of
AI—Ge．Si02 light
were on substratesradio magnetronsputteringtechnique
p-Si by frequency
deposited
onthe
witha or orsome ofA1wafers
Ge．Si02 target．
Si-Si02 compositetarget pieces
at
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