用于同步辐射的计数型硅像素探测器读出芯片初步进展 - Indico.PDF

用于同步辐射的计数型硅像素探测器读出用于同步辐射的计数型硅像素探测器读出 芯片初步进展芯片初步进展 魏微魏微 李怀申李怀申 宁哲宁哲 樊磊樊磊 张杰张杰 李绍富李绍富 刘刚刘刚 陆卫国陆卫国 江晓山 王铮 蓝克坚 卢云鹏 欧阳群 朱科军 核探测与核电子学国家重点实验室 2014-08-15 主要内容 • 项目背景 • 读出芯片设计读出芯片设计 – 像素单元电路 – 芯片整体设计 – 仿真结果 • 项目整体进展 • 芯片测试结果 – 纯芯片测试 功能测试功能测试 纯模拟电路性能测试 阵列测试和一致性刻度 – Sensor联调测试 铁源纯模拟测试 同步辐射束流测试同步辐射束流测试 • 对比和总结 2 高能同步辐射光源硅像素探测器预研 • 针对同步辐射应用，力争实现实用化的硅像素探测器系统 •• 通过数年的前期研究通过数年的前期研究，参加国际合作参加国际合作，在读出电子学方面在读出电子学方面 已有一定基础，通过该项目的研究，希望掌握像素读出芯 片设计和测试的关键核心技术 • 项目时间：2012~2015 • 项目验收指标项目验收指标 • 项目设计指标项目设计指标 – 灵敏面积：8cm ×8cm – 灵敏面积：8cm ×8cm – 像素尺寸：200μm ×200μm – 像素尺寸：150μm ×150μm – 帧刷新率： 100Hz – 帧刷新率：1kHz – 动态范围：20bit – 动态范围：20bit – 能量范围能量范围：8~20keV – 能量范围能量范围：8~20keV • 探测器整体方案基于成熟的混合型像素探测器结构探测器整体方案基于成熟的混合型像素探测器结构，，即全即全 耗尽体硅传感器+倒装焊连接+像素ASIC读出芯片方案 3 硅像素探测器预研 • 项目目标： – 制备硅像素探测器制备硅像素探测器Sensor的条件还不具备的条件还不具备，，主要是参加主要是参加Sensor的的 合作设计和测试，积累相关经验 – 独立完成像素读出芯片和读出系统的设计，掌握芯片设计的核心 技术技术 – 利用合作单位Bump Bonding成熟技术，完成系统封装，掌握先进 封装的相关设计技术 – 完成像素成像系统的机械系统设计，在先进封装、像素冷却系统 设计方面积累经验 • 芯片设计目标芯片设计目标 像素单元尺寸 150μm ×150μm 刷新率 100~1kHz 芯片规模芯片规模 7272列列××104104行行 总通道数总通道数 工作模式 数字积分（计数） 计数深度 20bit ENCENC 好于好于200e200e 能量探测范围能量探测范围 8keV8keV~20keV20keV 像素单元功耗 50μW/pixel 芯片总功耗 400mW 4 读出芯片设计——像素单元