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集成电路芯片封装可靠
集成 电路芯片封装可靠性知识
郭小伟
(天水华天科技股份有限公 司，甘肃天水 741000)
1 可靠性试验
1．1 可靠性试验常用术语
1．2 可靠性试验条件和判断 BAKE
试验流程：
Ⅵ SUAL l—l T／H l一4
LI：85~C／85％，168hr
l一2 L2：85~C／60％，168hr
L3：30~C／60％，192hr
l一3 REFLOW … … … … … … …
上 Ll245℃，3times(具体按JEDEC标准)l
1．有的客户不作要求 — — — — — — — — — — — — — _=—— ——— —— —
2．-40／60℃，5cyclesforL3 CLEAN AND RINSE IN DIW ATER
3．一55／125℃，5cyclesforLI，12
1．5
1．6
Jr Jr Jr Jr Jr
1．7
以客户代表为例：
客户 l： ·
precondition TCT一55／125℃，5cyclesforL1，L2，L3 Ac：Re=(0，1)
T／S：一55／125℃，5min，100cycles samplesize：45 Ac：Re=(0，1)
T／C：一55／125℃，10min，200cycles samplesize：45 Ac：Re=(0，1)
PCT：12l~(2／100％，15Psig，96h smaplesize：45 Ac：Re=(0，1)
THT：85℃ ／85％．168／500／1000h samplesize：45 Ac：Re=(0，1)
客户 2：
precondition T／C 一40／60℃．5cyclesforL3 Ac：Re=(0，1)
T／S：一55／125 ℃，5min，100cycles samplesize：45 Ac：Re=(0，1)
T／C：-65／150℃，10min，500cycles samplesize：77 Ac：Re=(0，1)
PCT：121℃ ／1OO％，15Prig，168h samplesize：77 Ac：Re=(0，1)
THT：85℃ ／85％．1000h sma plesize：77 Ac：Re=(0，1)
HTSL：150℃，1000h samplesize：77 Ac：Re=(0，1)
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