高精度Si-V 型槽的制备技术研究.PDF

第# 卷! 第$ 期 天! 津! 大! 学! 学! 报 ()*+ #! ,)+ $ ! % 年’ 月 !#$%’ ( )*%+*% ,%*-.$/*01 -.*+ % ! 高精度2*34 型槽的制备技术研究! 刘! 洋，陈才和，丁桂兰，崔宇明 （天津大学精密仪器与光电子工程学院，光电信息技术科学教育部重点实验室，天津’% ） 摘! 要：简要介绍了( 型槽设计的原理，并详细讨论了影响( 型槽质量的因素+ 在实验中对其制作工艺技术进行了 研究和改进，制作出高质量的( 型槽+ 这些( 型槽边缘完整清晰，底部小丘少，已成功地用于国家自然科学基金项 目“混合型集成光学加速度地震检波器理论与实验研究”的集成光学器件封装实验中+ 关键词：( 型槽；封装；腐蚀；集成光学波导 中图分类号： /,%0#! ! ! 文献标识码：1! ! ! 文章编号：$23%4’ （% ）$3$230 5./.$67 % 89$*60*% ).67%’:1 ( 2*’*6% 43:$-. ;*07 *:7 =$.6*/*% 567 89:; ，=, 9?3@A ，B6,C C.?3*9: ，76 8.3D?:; （EF@))* )G HIAF?J?): 6:JKI.DA:KJ 9:L MNK)3*AFKI):?FJ :;?:AAI?:; ，/?9:O?: 7:?PAIJ?KQ ；RAQ 59S )G MNK)3*AFKI):?F 6:G)ID93 K?): EF?A:FA 9:L /AF@:)*);Q ，T?:?JKIQ )G L.F9K?): ，/?9:O?: ’% ，@?:9 ） 9/0$60 ：/@A LAJ?;:?:; K@A)IQ )G K@A (3;I))PA ?J SI?AG*Q ?:KI)L.FAL 9:L K@A G9FK)IJ ?:G*.A:F?:; K@A U.9*?KQ )G K@A (3;I))PA 9IA 9:9*QVAL ?: LAK9?*+ 6: AWNAI?DA:K ，K@A G9SI?F9K?): KAF@:)*);Q X9J JK.L?AL 9:L ?DNI)PAL ，SQ X@?F@ @?;@ U.9*?KQ (3;I))PA @9J SAA: J.FFAJJG.**Q G9SI?F9KAL ，/@A (3;I))PA X?K@ F*A9I AL;AJ 9:L PAIQ GAX D).:LJ @9J SAA: 9NN*?AL ?: K@A F).N*?:; )G K@A ?:KA;I9KAL )NK?F9* F@?N )G K@A “@QSI?L3?:KA;I9KAL )NK?F9* 9FFA*AI3 )DAKAI ”———9 NI);I9D ;I9:KAL SQ K@A ,9K?):9* ,9K.I9* EF?A:FA Y).:L9K?): )G @?:9+ ?.1;$@/ ：(3;I))PA ；A:F9NJ.*9K?): ；AKF@?:; ；?:KA;I9KAL3)NK?F X9PA;.?LA ! ! 钛扩散铌酸锂（/? Z 5?,SM ）集成光学单模波导具 有优越的光电特性，并能较好地与单模光纤技术兼容， ! 4 型槽的设计原理 从而提供宽频带、低驱动电压、高消光比和低插入损耗 的实用化集成光学器件，并越来越受到重视［4］+ 在“混 ［% ］ ! ! ( 型槽设计的原理如图 4 所示 + ( 型槽的 合型集成光学加速度地